Cтраница 5
Из сказанного следует, что адсорбционные комплексы в граничной фазе Si - Si02 создают систему глубоких динольных донорных или акцепторных состояний с аномально малыми сечениями захвата спр яв яв Ю-24-НО-26 см2, не типичных для объема кремния. До последних лет многие исследователи [89-91] связывали аномально низкие значения сп р с наличием буферного слоя, отделяющего медленные состояния от полупроводника. Часто считается, что роль этого буфера выполняет оксидный слой, т.е. допускается локализация медленных состояний на внешней поверхности ДП-структуры. Проведенные эксперименты [63, 85, 92] не подтверждают этого. Оказалось, что кинетика релаксации заряда в медленных состояниях Q s B эффекте поля, когда в оксидной пленке присутствует электрическое поле, и при адсорбции, когда поле в пленке отсутствует, идентична. Медленная релаксация наблюдается и в полупроводниках без оксидной пленки ZnO [93], Cu20 [94], PbS [95] и др. Она хорошо описывается уравнениями (5.4) и (5.5) с константами а и АЕТ, близкими к константам германия и кремния. [61]