Непроводящее состояние
Cтраница 1
Непроводящее состояние определяется тремя характеристиками, по которым делается выбор рабочего режима сеточной цепи и анодного питающего напряжения. На первый взгляд, наиболее удобно питание сеточной цепи от общего с анодным напряжением источника. [1]
Устойчивость непроводящего состояния может быть нарушена в диэлектриках с помощью сильного электрического поля, которое ускоряет освобождающиеся электроны ( или дырки) до такой энергии, при которой они уже не могут быть захвачены поляризацией диэлектрической среды и переведены в малоподвижное состояние. Быстрые электроны вызывают ударную ионизацию, концентрация носителей заряда лавинно нарастает, что в конечном итоге приводит к электрическому пробою - изолятор превращается в проводник. [2]
В непроводящем состоянии на электроды лампы поданы рабочие напряжения, в лампе горит подготовительный разряд, но анодный ток отсутствует. [3]
Переход из непроводящего состояния в проводящее происходит при подаче на управляющий электрод тиристора импульса напряжения. При этом потенциал анода тиристора должен быть положительным по отношению к катоду. Назовем стадией интервал времени, в течение которого состояние каждого из тиристоров не меняется. При установившемся режиме работы такие стадии повторяются через каждый период изменения входного напряжения. Рассмотрим возможные состояния тиристоров и соответствующие стадии. Введем следующие обозначения для стадий: Т - открытое состояние тиристора Tit закрытое состояние тиристора Т2; TZ - открытое состояние тиристора Tz, закрытое состояние тиристора TI; 0 - оба тиристора в закрытом состоянии. [4]
 |
Вольтамперные характеристики диодного ( а и триодного ( б тиристора. [5] |
Переход структуры рпрп из непроводящего состояния в проводящее можно вызвать не только повышением напряжения внешнего источника, но и увеличением тока в одном из эквивалентных транзисторов. Меняя ток управляющего электрода можно регулировать напряжение переключения, а следовательно, управлять работой прибора. [6]
Условие переключения тиристора из непроводящего состояния в проводящее было получено при анализе процессов в транзисторном эквиваленте тиристора ( рис. 2), который позволяет исследовать процессы в тиристоре, не решая уравнений непрерывности в базовых областях. [7]
 |
Выходные характеристики четырехслойных.| Структура четырех-слойного транзистора с выводом базы. [8] |
Переход структуры р-п-р-п из непроводящего состояния в проводящее можно вызвать не только повышением напряжения, но и увеличением тока в одном из эквивалентных триодов. Для этого от одной из баз делают вывод, и прибор включают в схему рис. 5.59. Меняя ток базы, можно регулировать напряжение переключения. [9]
Условие переключения тиристора из непроводящего состояния в проводящее было получено при анализе процессов в транзисторном эквиваленте тиристора ( рис. 2), который позволяет исследовать процессы в тиристоре, не решая уравнений непрерывности в базовых областях. [10]
Для обратного переключения тиристора в непроводящее состояние необходимо снизить проходящий через него ток до значения, меньшего тока выключения. Практически эго достигается разрывом анодной цепи или изменением полярности напряжения анод-катод или шунтированием тиристора. [11]
По способу управления переходом от непроводящего состояния к проводящему ТТР разделяют на тиратроны с токовым и электростатическим управлением. [12]
 |
Порядок соединения электродов тиратронов тлеющего разряда со штырьками. [13] |
По способу управления переходом от непроводящего состояния к проводящему ТТР разделяют на тиратроны с токовым и электростатическим управлением. [14]
Допустимое напряжение кремниевых вентилей в непроводящем состоянии составляет сотни и тысячи вольт. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5