Непроводящее состояние

Cтраница 3

Функциональная схема батареи конденсаторов с выталкивающей катушкой электромагнитного устройства для калибровки ударных акселерометров. [31]

До момента достижения требуемого напряжения на конденсаторах и поступления импульсов зажигания оба игнитрона находятся в непроводящем состоянии. Как только первый игнитрон приходит в состояние проводимости, конденсаторы начинают разряжаться на катушку электромагнита 12, ток в электромагните возрастает по синусоидальному закону. Когда состояние проводимости наступает во втором игнитроне, электромагнит через блок сопротивлений 13 замыкается накоротко. Во время замыкания электромагнита поддерживается сила тока, которая затем падает по экспоненте. Магнитное поле, возбуждаемое в электромагните, выталкивает проводник-снаряд, на котором закреплены градуируемый ударный акселерометр и кварцевый динамометр, когда калибровку производят по методу измерения силы. При проведении калибровки по методу изменения скорости на проводнике-снаряде закрепляют ударный акселерометр и отражающий элемент для лазерного измерителя скорости. [32]

Дифференциальное сопротивление тиристоров в открытом состоянии определяется аналогично дифференциальному прямому сопротивлению диодов, а ударная мощность потерь в обратном непроводящем состоянии - аналогично ударной мощности обратных потерь диодов. [33]

Когда мгновенное значение входного напряжения приблизится к нулю и ток через тиристор станет меньше удерживающего, тиристор переключится в непроводящее состояние. [34]

Поскольку падение напряжения на тиристорах в их проводящем состоянии на Несколько порядков меньше напряжения сети, а ток в непроводящем состоянии несоизмеримо меньше среднего значения тока нагрузки, можно считать, что при проводящем состоянии тиристоров падение напряжения на них равно нулю, а при непроводящем состоянии - равны нулю ток сети и его производная. [35]

При использовании вакуумных высокочастотных диодов сопротивление выключателя в проводящем состоянии имеет величину порядка 2 - 5 ком, сопротивление в непроводящем состоянии - порядка 103 Мом. Небольшое раз-чичие между характеристиками диодов компенсируется эегулировкой ползунка потенциометра РЫ, потенцио-летр для обычных вакуумных высокочастотных диодов шеет сопротивление около 1 - 2 ком. [36]

Теоретическая модель ФП типа диэлектрик - металл должна главным образом объяснить, почему газ свободных электронов при низких температурах конденсируется в непроводящее состояние. [37]

Но чтобы когерер мог быть готовым к принятию следующих сигналов, его после каждого прохождения тока следует сотрясением вновь привести в первоначальное непроводящее состояние. [38]

При приложении к диоду положительного напряжения ( 0) переходы Пг и П3 оказываются в проводящем, а переход Я2 в непроводящем состоянии. С ростом положительного напряжения дифференциальное сопротивление диода меняется незначительно. Однако, поскольку напряжение на диоде практически оказывается полностью приложенным к запертому переходу Я2 при достаточно высоком напряжении и, начинает существенно сказываться ударная ионизация во втором переходе; число электрических зарядов через переход Я2 возрастает ( умножается), возрастает и ток через диод. При некотором критическом напряжении URKJI умножение зарядов приобретает лавинообразный характер; дифференциальное сопротивление диода падает до нуля ( точка 1 на в-а характеристике); переход Я2 пробивается, напряжение на диоде уменьшается ( участок 1 - 2 на характеристике); в слоях у перехода / 72 образуются избыточные электрические заряды, которые сводят запирающее напряжение до нуля ( граница насыщения, точка 2 характеристики), а при напряжении выше ияыКл - создают положительное напряжение на переходе, полностью насыщая его, и в-а характеристика переключающего диода в этой области имеет тот же характер, что и в-а характеристика обыкновенного диода. [39]

По мере разряда С34 анодное напряжение тиратрона понижается и в момент, когда оно достигнет величины потенциала горения, тиратрон переходит в непроводящее состояние. [40]

Параметры установок для получения ССМП. [41]

Биченковым с коллегами [91] и независимо Нагаямой с коллегами [92, 98] метод сжатия магнитного потока ударными волнами, вызывающими переход какой-либо среды из непроводящего состояния в проводящее, обладает рядом особенностей, отличающих его от классической магнитной кумуляции. Суть метода состоит в создании конфигурации из нескольких ударных волн, которые сходятся к какой-то точке внутри среды. Под действием таких волн вещество - переходит в состояние с высокой проводимостью, близкой к проводимости металла, и такая оболочка захватывает и сжимает начальный магнитный поток - тем самым создается сильное магнитное поле. Конкретный механизм фазового перехода под действием ударной волны не столь важен - это могут быть переходы полупроводник - металл [98], диэлектрик - металл или механическое разрушение тонкого непроводящего слоя между отдельными частицами металлического порошка. [42]

Схема включения импульсного диода ( а, эпюры приложенного импульсного напряжения ( б, тока ( в и процессы в базе. [43]

Импульсные диоды пригодны к работе в быстродействующих импульсных схемах с очень малым ( менее 1 икс) временем переключения их из проводящего в непроводящее состояние. [44]

В реле времени ( см. рис. 2 - 28) тиратрон может в течение длительного периода ( до поступления управляющего сигнала) находиться в непроводящем состоянии. Однако наибольшее изменение сеточного напряжения зажигания ТТР с чистометаллическим катодом ( речь идет об изменениях порядка нескольких процентов) происходит именно в непроводящей лампе. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5