Cтраница 1
Основное электронное состояние N2H4 является синглетным. Данных о возбужденных электронных состояниях N2H4 в литературе не имеется. [1]
Основное электронное состояние всех изученных молекулярных метем является синглетным, в полном соответствии с наблюдаемым диамагнитным поведением этих кластерных карбонилов. [2]
Основное электронное состояние ферроцианид-иояа lAig ( см. предыдущую главу), поэтому внутренняя асимметрия вследствие эффекта Яна - Теллера отсутствует. Следовательно, ферро-цианид-ион должен иметь структуру правильного октаэдра. Отступление от этой структуры может быть обусловлено только несимметричными взаимодействиями с внешнесферными частицами. [3]
Основное электронное состояние атома иода четырехкратно вырождено. [4]
Если основное электронное состояние обозначить g, то переход vm J, М - vm, /, М будет чисто вращательным, а переход vm, J, M - v m, J, M - колебательно-вращательным. [5]
Несимметричность основного электронного состояния не представляет собой, конечно, ничего удивительного, и из нее не следует невозможность существования таких молекул. Она служит скорее простым методом распознавания типа тг-электрон-ного взаимодействия, не ведущего к большим энергиям резонанса. Такой вывод ясно демонстрируется на примере также псевдоароматичеокого циклооктатетраена, который принимает свободное от напряжений полиолефиновое строение, так как приближение к плоскому строению не дало бы для него выигрыша за счет энергии резонанса. [6]
Несимметричность основного электронного состояния не представляет собой, конечно, ничего удивительного, и из нее не следует невозможность существования таких молекул. Она служит скорее простым методом распознавания типа ти-электронного взаимодействия, не ведущего к большим энергиям резонанса. Такой вывод ясно демонстрируется на примере также псевдоароматичеокого циклооктатетраеяа, который принимает свободное от напряжений полиолефиновое строение, так как приближение к плоскому строению не дало бы для него выигрыша за счет энергии резонанса. [7]
Для основного электронного состояния энергия диссоциации D0 равна тепловому эффекту реакции диссоциации соответствующего двухатомного газа на одноатомные газы при 0 К. [8]
Рассмотрение основного электронного состояния системы затрагивает проблему энергии кристаллической решетки ( энергии связи), рассмотрение возбужденных состояний, с оценкой их вероятностей при различных температурах, - проблему электронного вклада в температурную зависимость термодинамических функций. В квантовой теории движения электронов и ядер обычно предполагают квазинезависимыми. Вклад электронной составляющей в термодинамические функции металла ( именно для металлов эта составляющая может быть наиболее существенна) был оценен ранее ( гл. VIII, § 5); было найдено, что при обычных температурах вклад электронов в теплоемкость металла очень мал. [9]
В основном электронном состоянии молекула Нез неустойчива. Молекулярные постоянные He2, приводимые здесь, относятся к возбужденному состоянию. [10]
В основном электронном состоянии система пребывает неограниченное время, поэтому ориентация молекул растворителя является равновесной. [11]
В основном электронном состоянии всего кристалла отдельные уровни энергии, которые можно представить себе как дискретные, но расположенные очень плотно, заполнены доверху электронами. Точнее говоря, каждый уровень занят двумя электронами, имеющими противоположно - направленные спины. В диэлектрике такая валентная зона полностью занята электронами. Следующая зона, которая называется зоной проводимости, пуста. [12]
В основном электронном состоянии S0 ароматические молекулы имеют четное число электронов и суммарный спин, равный нулю - это синглстное состояние молекулы. При низких температурах вплоть до комнатной заселены почти исключительно нулевые колебательные уровни молекулы. При этом, как правило, заселяются высшие колебательные уровни этих состояний. [13]
А - основное электронное состояние, В - первое возбужденное; v - колебательное квантовое число. [14]
Разность термов основного электронного состояния 150 и первого возбужденного состояния 9St в атоме гелия составляет 159843 см-1. [15]