Cтраница 2
Пусть g ( e) - число квантовых состояний электрона, отнесенное к единичному интервалу энергий. Тогда пространственная плотность числа электронов с энергией в интервале de есть п ( e) g ( e) cf ( е), где п ( е) - числа заполнения состояний. Обозначим посредством jy ( е) плотность создаваемого этими электронами поперечного тока. [16]
Пусть g ( s ] - число квантовых состояний электрона, отнесенное к единичному интервалу энергий. Тогда пространственная плотность числа электронов с энергией в интервале de есть n ( e) g ( e) d ( e), где п ( е) - числа заполнения состояний. Обозначим через jy ( s) плотность создаваемого этими электронами поперечного тока. [17]
В последней записи суммирование производится по всем квантовым состояниям электрона; s условно обозначает совокупность квантовых чисел состояний. Эта формула сводит задачу о вычислении проводимости к вычислению коэффициента диффузии электронов в отсутствие электрического поля. [18]
Здесь п ( р) определяется как числа заполнения квантовых состояний электронов с определенными значениями импульса и проекции спина. [19]
Итак, уравнение Шредингера приводит к тому, что каждое квантовое состояние электрона в атоме водорода, вообще говоря, характеризуется набором целых чисел п, I и т /, которым соответствуют определенная энергия электрона, определенный момент количества движения его и определенная проекция этого момента на выделенное направление. [20]
В выражении (7.27) k представляет собой волновой вектор, характеризующий квантовое состояние электрона в кристалле. Естественно, что показатель степени экспоненты должен быть безразмерной величиной. [21]
Зонная теория, основанная на одноэлектронном приближении, учитывает все возможные квантовые состояния электрона в кристалле. При этом предполагается, что действие всех атомных ядер и всех остальных электронов на данный сводится к некоторому внешнему самосогласованному трехмерно периодическому полю. У диэлектрика или собственного полупроводника электроны полностью заполняют валентную зону, так что минимальная энергия возбуждения электрона связана с его переходом из заполненной валентной зоны в свободную зону проводимости. При каждом таком переходе возникают носители тока: электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. [22]
Далее важно, что в адиабатических реакциях, которые происходят без изменения квантового состояния электронов во время реакции, активированный комплекс, образующийся из исходных частиц, всегда полностью превращается в продукты реакции. [23]
Исходя из расщепления квантовых уровней при сближении атомов, следует принимать во внимание не только квантовое состояние электрона в исходном атоме, но и его взаимодействие с атомами решетки и возникающими здесь электрическими полями. Указанные две точки зрения, два подхода к описанию энергетического спектра там, где они могут быть доведены до количественных выводов, не противоречат, а взаимно дополняют друг друга. [24]
В каждой полосе, полученной в результате расщепления одного атомного уровня, размещается 2N квантовых состояний электрона, где N-число атомов. [25]
В каждой полосе, полученной в результате расщепления одного атомного уровня, размещается 2N квантовых состояний электрона, где N - - число атомов. [26]
При всех видах рассеяния на тепловых флуктуациях вычисление изменений, которые вносит такое рассеяние в функцию распределения квантовых состояний электрона, накопившего на длине свободного пробега некоторую добавочную энергию и количество движения, приводит к тому, что в образовавшейся после столкновения функции распределения почти не остается следов от влияния электрического поля. Во всех случаях подвижность падает с ростом температуры, и подвижность тем больше, чем меньше эффективная масса носителей тока. [27]
При всех видах рассеяния на тепловых флуктуацпях вычисление изменений, которые вносит такое рассеяние в функцию распределения квантовых состояний электрона, показывает, что подвижность тем больше, чем меньше эффективная масса носителей тока, а с ростом температуры она убывает. [28]
Так как состояния исходной системы удаленных друг от друга атомов изменяются при их сближении непрерывным образом, то число разрешенных квантовых состояний электронов в кристалле должно быть таким же, как в исходной системе. [29]
Как видим, электрическое поведение тела определяется не числом электронов, которое одинаково в металле и изоляторе, а возможностью изменения квантового состояния электрона при внешнем воздействии. [30]