Квантовое состояние - электрон
Cтраница 3
Осложнение возникает дополнительно в тех случаях, когда переход к новым молекулам и их стабилизация требуют не только смещения, но и скачкообразного изменения квантового состояния электронов, сопровождаемого переходом с одной потенциальной поверхности ( или кривой) на другую. [31]
Тем не менее, поскольку характер движения электрона и в многоэлектронных атомах определяется размером электронного облака, орбитальным, магнитным и спиновым моментами электрона, оказалось возможным квантовые состояния электрона в атоме водорода перенести на многоэлектронные атомы. [32]
 |
Сигнал ЭПР в интегральном ( а и дифференциальном ( б виде. [33] |
СВЧ-энергии с частотой излучения v; / i - постоянная Планка; ( 3 - магнетон Бора; g - так называемый - фактор - константа, определяющаяся квантовым состоянием электрона в атоме и характеризующая степень взаимодействия неспаренного электрона с окружающими атомами. [34]
Задавая тройку возможных значений рх, ру и pz и определенную ориентировку электронного спина ( § 117), мы определяем некоторое возможное стационарное движение электрона, или, иначе, квантовое состояние электрона. Формула (154.2) показывает, что одна и та же энергия электрона может соответствовать различным значениям рх, ру ир, а, следовательно, каждому энергетическому уровню внутри зоны соответствует целая совокупность квантовых состояний. [35]
Если состояние электронов в кристалле характеризуется волновым вектором k ( kl kx, kz ky, kz kz), то в некоторых случаях удобнее пользоваться не функцией g ( s), а числом квантовых состояний электрона, конец волнового вектора которого k лежит в элементе rf-cft А-пространства. [36]
Поскольку спин-орбитальная связь разорвана, для данной величины орбитального момента мы имеем 21 / 1 квантовых состояний. Число квантовых состояний электрона не может измениться при воздействии внешних полей; таким образом, в кристалле также будет 2L 1 квантовых состояний. Воздействие электрического поля решетки приводит к тому, что электронная плотность состояний незаполненной оболочки не может быть распределена в пространстве произвольно, а должна образовывать конфигурацию, отвечающую симметрии кристаллической решетки. Ситуация, совершенно невозможная с классической точки зрения. [37]
Функция ( ft, описывает состояние одного из электронов, когда он находится, в первом атоме; точно так же фс - функция состояния для электрона, находящегося во втором атоме. Спектр квантовых состояний невзаимодействующих электронов и вид соответствующих одночастичных волновых функций известны, так как задача об атоме водорода решена ранее. [38]
Иная картина наблюдается, напр. При расщеплении квантовых состояний электронов, входящих н ноны Na и С1 -, число состояний в каждой зоне будет в точности соответствовать числу наличных электронов. Зоны 2р для Na и Зр для С1 - окажутся целиком заполненными электронами, по два электрона на каждом уровне энергии. Зр се отделяет энергетич. Следовательно, в кристалле NaCl отсутствуют свободные электроны и он является диэлектриком. При высоких темп - pax электропроводность кристаллов NaCl становится заметной, но она связана с подвижностью ионов. [39]
Для физической теории полупроводники имеют исключительное значение. Здесь открывается возможность изучить электрические и оптические свойства твердого тела, квантовые состояния электронов, их связь с атомами вещества. И, действительно, современные оптика и электроника твердого тела строятся на изучении полупроводников. Растущий технический опыт обогащает теорию, а теория в свою очередь открывает новые пути улучшения и применения полупроводников. Примерами этого могут служить фотоэлементы и выпрямители, технический опыт изготовления которых открыл явление запорного слоя и различие знача выпрямления. А квантовая теория, объяснив связь знака с механизмом выпрямления, указала путь рационального усовершенствования фотоэлемента и выпрямителя. [40]
Для физической теории полупроводники имеют исключительное значение. Здесь открывается возможность изучить электрические и оптические свойства твердого тела, квантовые состояния электронов, их связь с атомами вещества. И, действительно, современные оптика и электроника твердого тела строятся на изучении полупроводников. Растущий технический опыт обогащает теорию, а теория в свою очередь открывает новые пути улучшения и применения полупроводников. Примерами этого могут служить фотоэлементы и выпрямители, технический опыт изготовления которых открыл явление запорного слоя и различие знака выпрямления. А квантовая теория, объяснив связь знака с механизмом выпрямления, указала путь рационального усовершенствования фотоэлемента и выпрямителя. [41]
Основным состоянием твердого тела является состояние с наименьшей энергией. Поэтому при температуре О К должны быть заполнены последовательно без промежутков все квантовые состояния электронов начиная с уровня с наименьшей энергией. Ввиду конечного числа электронов имеется конечный заполненный уровень с наибольшей энергией, а последующие уровни свободны. Таким образом, при О К существует резкая граница между заполненными и свободными уровнями. [42]
Данные, полученные при изучении магнитных свойств. В принципе из результатов таких измерений могут быть вычислены магнитные моменты ионов и квантовые состояния электронов, обусловливающих проявление парамагнетизма. Однако для этих вычислений необходимо знать, как спарены электроны и насколько отстоят друг от друга отдельные мультиплетные компоненты вблизи основного состояния. Для актинидов такие сведения пока отсутствуют. [43]
Если законы движения электронов в таких аморфных материалах и отличаются существенно от движения их в кристаллической среде, то существование дискретного энергетического спектра и, в частности, запретных зон, процессы перехода электронов под действием теплового движения с одного квантового уровня на другой, процессы рекомбинации, диффузии и статистического равновесия столь же свойственны аморфным телам, как и кристаллам. Решающим для тех и других являются межатомные связи и расстояния, а также квантовые состояния электронов, совместимые с этими расстояниями. [44]
Уже первые попытки исследования и практического использования структур с размерами менее 100 нм показали, что поведение таких наноструктур качественно отличается от поведения тел с большими размерами. Малость линейных размеров, хотя бы в одном измерении, кардинально меняет характер квантовых состояний электронов, ярко проявляя свойства, присущие системам пониженной размерности. При этом существенно изменяется сама идеология электронной техники. На первый план выдвигаются свойства отдельных квантовых состояний, а не потоков огромного числа электронов. Поэтому создание, исследование и применение структур с линейными размерами меньше чем 100 нм рассматривается как особое направление в физике, технологии и электронной технике - наноэлектро-ника. [45]
Страницы: 1 2 3 4