Экситонное состояние

Cтраница 1

Экситонные состояния с определенным значением k и энергией E ( k), описываемые плоскими волнами (22.8), характеризуют стационарные состояния, при которых энергия возбуждения распределена по всей цепочке и не перемещается. [1]

Экситонные состояния приводят не только к поглощению на длинноволновой стороне края поглощения; кулоновское притяжение между возбужденными носителями влияет и на оптические переходы между основными зонами, хотя при этом образуются несвязанные состояния. [2]

Экситонные состояния обладают, однако, конечным временем жизни, так как электрон и дырка могут рекомбинировать с испусканием, например фонона или фотона. [3]

Энергетические уровни экситона, образовавшегося в результате поглощения фотона с энергией, не достаточной для возбуждения пары электрон-дырка. [4]

Экситонное состояние может блуждать по кристаллу, передаваясь от одного атома ( приходящего в нормальное состояние) к другому. Так как экситон представляет собой в целом нейтральное сочетание электрона с дыркой, то наложение слабого внешнего электрического поля, не способного нарушить связь между ними, не влияет и на хаотическое движение экситонов по кристаллической решетке и не создает, следовательно, электрического тока. Экситон при столкновениях с примесными центрами может либо разорваться с образованием двух носителей заряда ( электрона и дырки), либо рекомбинировать и перевести атом в невозбужденное состояние. [5]

Экситонные состояния приводят к поглощению на длинноволновой стороне края поглощения. [6]

Чаще всего экситонные состояния исследуют экспериментально по спектрам, поглощения и отражения диэлектрических кристаллов. Их существование проявляется в наличии ряда линий при энергии фотонов, меньшей чем энергетическая щель. [7]

Поглощение света примесными центрами. [8]

Отличие экситонного состояния заключается в том, что он может переходить от одного атома к другому и таким образом перемещаться по всему кристаллу. С экситонными возбуждениями связана тонкая структура края полосы поглощения. [9]

Спектр экситонного приближении. Однако при поглощении кванта поглощения в прямозонном по - света образуется близко расположенная пара. [10]

При рассмотрении экситонных состояний в кристалле мы использовали водородоподобную модель экситона и оценили энергию этих состояний по формуле ДЕэкс 136 / n KC / ( mE2Fjj 2), где энергия ДЕэкС ( эВ) отсчитана вниз от дна зоны проводимости. [11]

Наибольший интерес представляют экситонные состояния, соответствующие длинам волн, значительно превышающим расстояния между соседними молекулами. [12]

Следует заметить, что экситонные состояния не могут быть отображены на энергетической диаграмме. Оценки показывают, что состояния электрона, участвующего в образовании экситона, лежат вблизи дна зоны проводимости, а энергия распада экситона А. Сопоставление величин (2.106) и (2.110) с постоянной решетки показывает, что критерий применимости метода эффективной массы здесь достаточно хорошо выполняется. [13]

Диаграмма каскадной модели многофононного рассеяния на LO фоно-нах, когда резонансным промежуточным состоянием является ls - экситон. Е П2К2 / ( 2М, где М me mh. К - волновой вектор центра масс экситона. [14]

К) - затухание экситонного состояния Ei ( K), rraci определяется вероятностью излучательной рекомбинации экситонов с участием LO фонона. [15]

Страницы: 1 2 3 4