Экситонное состояние

Cтраница 3

Спектр экситошюго поглощения состоит из ряда дискретных линий, соответствующих экситонным состояниям. [31]

Спектральные зависимости объемной фотопроводимости кристаллов ЦТПТ. Показаны расположение электродов и ориентация кристаллов по отношению к возбуждающему свету. [32]

Генерация носителей, пропорциональная интенсивности света, может быть обусловлена автоионизацией экситонных состояний, прямыми межзонными переходами или диссоциацией экситонов на примесных состояниях. Последний процесс в кристаллах ЦТПТ, вероятно, не существен, поскольку создание большого числа дефектов или примесей при помощи бомбардировки тяжелыми ионами или пластической деформации кристаллов не меняло спектральных зависимостей и абсолютных значений фототока. Исключение из рассмотрения взаимодействия экситонов с дефектами указывает на собственный характер генерации носителей. [33]

Для выяснения роли миграции энергии в процессе полимеризации необходимы теоретические расчеты экситонных состояний в полимерных цепях. Мало оправдано простое перенесение представлений, разработанных для кристаллов, на одномерные объекты, содержащие сотни атомов. [34]

Внешнее давление изменяет не только зонную структуру основного материала, но и примесные и экситонные состояния. При деформации полупроводника изменяется - положение примесных состояний относительно экстремальных точек зон. [35]

Как и в случае свободной молекулы, переход из основного ( синглетного) состояния кристалла в триплетное экситонное состояние запрещен из-за правила отбора по спину. Как обсуждалось в разд. Поляризованный спектр поглощения перехода S0 - Tl в антрацене можно определить из измерений спектра возбуждения замедленной флуоресценции, которая возникает при триплет-триплетной аннигиляции. Для триплетных экситонов доминирует взаимодействие между ближайшими соседями; давыдовское расщепление приблизительно равно 81) 81, где / J - полная энергия взаимодействия между ближайшими неэквивалентными молекулами для нулевого вибронного возбужденного уровня, включающая также факторы Франка - Кондона. Дополнительный коэффициент 2 в теоретическом выражении WD для кристалла антрацена по сравнению с соответствующим выражением для линейной цепочки возникает из-за наличия четырех ближайших соседей в кристалле антрацена по сравнению с двумя для линейной цепочки. Молекулы, расположенные в антрацене перпендикулярно плоскости ab, взаимодействуют слабо по сравнению с молекулами, лежащими в самой плоскости, и их взаимодействием можно пренебречь. В этом смысле движение триплетных экситонов в антрацене почти двумерно ( см. разд. Экспериментальное значение WD 17 см 1 отвечает & 2 см 1, которое в три раза меньше соответствующего значения для 1 4 - DBN ( см. разд. [36]

Наблюдаемая поляризация полосы поглощения монокристалла карбазола указывает на то, что ответственные за поглощение коллективные возбуждения связаны с экситонными состояниями. [37]

При наличии связи экситонного типа одиночный уровень изолированной молекулы расщепляется в полосу уровней в кристалле, и, следовательно, низшие экситонные состояния понижены по сравнению с низшими уровнями изолированной молекулы. В результате этого наиболее низкочастотная полоса поглощения молекулярного кристалла испытывает смещение в сторону больших длин волн даже по сравнению с исправленным значением длины волны, учитывающим обычное длинноволновое смещение, обусловленное усиливающимся кулоновым взаимодействием возбужденной молекулы со своими соседями в конденсированной фазе. Исключения появляются в тех случаях, когда переходы на низший экситонный уровень оказываются запрещенными. [38]

Если число электронов проводимости очень мало, то ситуация похожа на ту, что мы имеем в полупроводниках, где возникают связанные экситонные состояния ( см. особенно разд. Действительно, вероятность того, что дырка перепрыгнет на соседний атом, очень мала, так как исчезающе мала степень перекрытия волновых функций внутренних оболочек различных атомов. Но с ростом концентрации электронов проводимости надо ожидать, что в результате экранирования эффективное взаимодействие между электроном и дыркой будет быстро уменьшаться. [39]

Как видно из рис. 7.32, в резонансном рамановском рассеянии LO моды в GaSe при 255см 1 при возбуждении вблизи самого низкого экситонного состояния сильно усиливается не только однофононная мода, но и многофононные моды более высоких порядков, причем их интенсивность медленно уменьшается с возрастанием порядка рассеяния. На первый взгляд кажется, что такие рамановские процессы п-го порядка с п - 1 должны быть крайне слабыми, поскольку рассеяние экситонов в них происходит или на п фононах одновременно, или путем последовательного взаимодействия с одним фононом п раз. Если имеет место первый случай, то соответствующее однофононное взаимодействие должно быть столь сильным, что теория возмущений перестает быть применимой. [40]

На основании (7.67) можно сделать следующие предположения: 1) только нечетные фононные моды усиливаются при резонансе с S и D экситонными состояниями; 2) нечетные, так и четные фононы усиливаются при резонансе с Р - состояниями экситона; 3) как входные, так и выходные резонансы должны наблюдаться для S -, Р - и D-состояний. Из рис. 7.34 а видно, что резонансы с ЗР - и 4Р - состояниями действительно наблюдаются, хотя они и слабее, чем резонансы с S - и D-состояниями. Предположительно это связано с их большими постоянными затухания, поскольку Р - состояния имеют большую вероятность радиационного распада. [41]

Исследованное экситонное поглощение примеси изотопных молекул по своим проявлениям принципиально отличается от экситонного поглощения в смешанных ионных кристаллах [55], которое свидетельствует об образовании смешанных экситонных состояний большого радиуса. [42]

При наличии локальных возбужденных состояний электронов оператор Йвъ, наряду с выражением ( 4.44 а), содержит также слагаемое H eL, отвечающее превращению экситонного состояния в локальное возбужденное состояние с испусканием акустического фонона. [43]

Исследование полупроводников под высоким давлением позволяет получить большое количество новой информации о структуре зон ( особенно вырожденных), о деформационных потенциалах [352, 353], об экситонных состояниях [354, 355] и примесных центрах. [44]

Наличие четырех ступенек ( рис. III.5, а - без примесей, б - примесь йода; рис. III.6 [85]) объясняется непрямыми переходами электронов в экситонные состояния с поглощением и эмиссией фотонов. [45]

Страницы: 1 2 3 4