Неравновесное состояние

Cтраница 3

Устойчивость неравновесного состояния в общем случае зависит от величины и типа отклонения от равновесного распределения, возникающего в процессе протекания химической реакции, а также характера последующих процессов передачи энергии; от числами эффективности столкновений, приводящих к равновесному состоянию, и от взаимодействия этих двух факторов. Рассмотрим некоторые возможные отклонения от термодинамического равновесия и влияние их на значения экспериментально измеряемых температур. [31]

Релаксация неравновесного состояния, специально приготовленного с помощью направленного, локального воздействия, может быть с одинаковой степенью обоснованности описана либо как последовательностью элементарных актов, каждый из которых протекает обратимо и переводит молекулу в новое конформационное состояние ( см. рис. 4.6 и 4.7), либо как непрерывное движение вдоль выделенной механической степени свободы. В случае достаточно простых молекул предпочтителен первый подход. [32]

Фазовая диаграмма.| Зависимость энтропии S от внутреннем энергии U для систем, в которых возможно состояние с отрицательной абсолютной температурой. [33]

Среди неравновесных состояний тел могут быть состояния с отрицательной абсолютной температурой. Поскольку системы с отрицательными абсолютными температурами являются всегда неравновесными, рассмотрение этих систем целесообразно проводить в рамках термодинамики неравновесных процессов. [34]

Для подобных неравновесных состояний температурный интервал кристаллизации Is2 является увеличенным сравнительно с нормальным IS-L. При достаточно медленном охлаждении сплава или его отжиге при t несколько низшей, чем окончательного затвердевания, происходит взаимная диффузия отдельных слоев и образование однородных кри-сталлич. Подобный процесс имеет важное значение в технике. [35]

Причинами неравновесного состояния кристаллов линейных гиб-коцепных полимеров обычно являются их небольшие размеры и дефекты ( гл. Яамелярные и фибриллярные кристаллы, а также кристаллы типа бахромчатой мицеллы сильно отличаются от равновесных вследствие их большой удельной поверхности ( гл. На рис. 9.1 тонкими линиями изображены кривые температурной зависимости свободной энтальпии метастабильных кристаллов различной степени устойчивости. Эти кривые находятся над соответствующей кривой равновесного кристалла. [36]

В неравновесном состоянии микроскопические частицы, из которых состоит тело, движутся совсем не так, как в равновесном. Выведем тело Б из состояния равновесия и предоставим его своей судьбе. [37]

В неравновесном состоянии температурные условия в газорегулируемой ТТ иные. [38]

В неравновесном состоянии в рассмотрение вовлекаются события, которые могут вывести структурные элементы за пределы наложенных на них ограничений, необходимостью соблюдения уровня порядка-беспорядка системы и ее пространственной инвариантности распределения структурных образований, или инвариантности во времени для происходящих внутренних событий. В этих условиях внутреннее поле старается создать порядок корреляции между различными точками системы, а хаотические тепловые или другие события разрушают эти корреляции, способствуя беспорядку. В условиях интенсивных возмущений в системе происходит накопление этой информации, избыток которой после некоторого предела и приводит к переустройству и обновлению системы. [39]

В неравновесном состоянии взаимная компенсация нарушается. При обратном смещении ( - f / 06p I Фт) ток термогенерации возрастает, так как величина его пропорциональна толщине перехода. [40]

В неравновесном состоянии, когда под действием обратного напряжения величина потенциального барьера увеличивается, условия проникновения носителей в область перехода ухудшаются и ток рекомбинации уменьшается. В результате ток термогенерации начинает преобладать над током рекомбинации и увеличивает обратный ток. [41]

В неравновесном состоянии распределение свободных электронов и дырок уже не соответствует распределению этих носителей заряда при термодинамическом равновесии. Поэтому в неравновесном состоянии распределение электронов по энергетическим уровням характеризуется своим квазиуровнем Ферми для электронов, распределение дырок - своим квазиуровнем Ферми для дырок, которые имеют тот же смысл для полупроводника в неравновесном состоянии, что и уровень Ферми в условиях термодинамического равновесия. Чем больше неравновесные концентрации свободных электронов и дырок отклоняются от своих равновесных значений, тем больше отличается положение квазиуровней Ферми для электронов и для дырок от положения уровня Ферми в условиях термодинамического равновесия. [42]

В неравновесном состоянии распределение свободных электронов и дырок уже не соответствует распределению этих носителей заряда при термодинамическом равновесии. Поэтому в неравновесном состоянии распределение свободных электронов по энергетическим уровням характеризуется своим квазиуровнем Ферми для электронов, распределение дырок - своим квазиуровнем Ферми для дырок, которые имеют тот же смысл для полупроводника в неравновесном состоянии, что и уровень Ферми в условиях термодинамического равновесия. Чем больше неравновесные концентрации свободных электронов и дырок отклоняются от своих равновесных значений, тем больше отличается положение квазиуровней Ферми для электронов и для дырок от положения уровня Ферми в условиях термодинамического равновесия. [43]

В неравновесном состоянии необходимо учитывать силы вязкого трения. В первом приближении компоненты тензора П, должны быть пропорциональны компонентам градиента проекций скорости, так как вязкое трение соседних слоев возникает в том случае, если скорости направленного движения в этих слоях различны. [44]

В неравновесном состоянии параметры системы не имеют определенных значений. [45]

Страницы: 1 2 3 4