Неравновесное состояние
Cтраница 4
В неравновесном состоянии необходимо учитывать силы вязкого трения. В первом приближении компоненты тензора П, должны быть пропорциональны компонентам градиента проекций скорости, так как вязкое трение соседних слоев возникает в том случае, если скорости направленного движения в этих слоях различны. [46]
В неравновесном состоянии при искусственном изменении концентрации носителей заряда распределение свободных электронов и дырок уже не соответствует распределению этих носителей заряда при термодинамическом равновесии. Поэтому в неравновесном состоянии распределение свободных электронов по энергетическим уровням характеризуется своим квазиуровнем Ферми для электронов, распределение дырок - своим квазиуровнем Ферми для дырок, которые имеют тот же смысл для полупроводника в неравновесном состоянии, что и уровень Ферми в условиях термодинамического равновесия. Чем больше неравновесные концентрации свободных электронов и дырок отклоняются от своих равновесных значений, тем больше отличается положение квазиуровней Ферми для электронов и для дырок от положения уровня Ферми в условиях термодинамического равновесия. [47]
В неравновесном состоянии вещества, например, при интенсивных химических реакциях ( горение, взрыв), сильных электромагнитных ( разряд) или механических ( ударные волны) воздействиях понятие температуры как единой характеристики состояния системы теряет свою определенность. [48]
 |
Схема переходов между энергетическими уровнями. [49] |
При неравновесном состоянии вещества заселенность уровней зависит от конкретных условий возбуждения и может очень сильно отличаться от равновесной при данной температуре. Это ведет к изменению спектров поглощения и испускания. Если при низкой температуре заселенность высших уровней велика, наблюдается так называемое холодное свечение. [50]
 |
Происхождение тока термогенерации в переходе. [51] |
В неравновесном состоянии диода взаимная компенсация токов IQ и / я нарушается. В случае обратного включения диода превалирует ток термогенерации, так как высота потенциального барьера увеличивается и проникание носителей в область перехода ( с последующей рекомбинацией) затрудняется. [52]
В неравновесном состоянии диода взаимная компенсация токов 10 и IK нарушается. В случае обратного включения диода превалирует ток термогенерации, так как высота потенциального барьера увеличивается и проникание носителей в область перехода ( с последующей рекомбинацией) затрудняется. [53]
В неравновесном состоянии скорости рекомбинации г и генерации g неодинаковы, поэтому происходит накопление ( или рассасывание) неравновесных носителей со скоростью, равной разнице скоростей генерации и рекомбинации. [54]
Подобного типа неравновесные состояния называются стационарными. [55]
Страницы: 1 2 3 4