Локализованное состояние

Cтраница 3

Различные виды плотности состояний, которые, как предполагается, могут осуществляться в аморфных полупроводниках ( области, соответствующие локализованным состояниям, заштрихованы. [31]

Прыжки носителей между локализованными состояниями, расположенными в зонах вблизи уровня Ферми Ер ( рис. 15.18); эти состояния обусловлены собственными дефектами и посторонними примесями. [32]

Энергия Ес, отделяющая локализованные состояния от делокализо-ванных, называется порогом подвижности. Ее положение зависит от массы частицы и степени беспорядка в системе. [33]

Кривые оптического поглощения для А 25ез в стеклообразном и жидком ( Г200 С состояниях. 1 - 196СС. 2 - 24 С, 3 - 80 С, 4 - 288СС, 5 - 349 С, 6 - 386 С, 7 - 438С, 8 - 478 С, 5 - 524 С, 10 - 554 С, / / - 597 С. v cJV, у const. [34]

Роль, которую играют локализованные состояния в псевдоцели между порогами подвижности, представляет собой особую проблему при интерпретации спектра поглощения неупорядоченных материалов. [35]

Они не служат источниками локализованных состояний в запрещенной зоне [93], а их размеры и концентрация существенно зависят от условий осаждения пленок. Измерения плотности a - Si: Н [94] показывают, что средний размер микрополостей немного больше размера дивакансии и что концентрация водорода определяется в основном количеством этих компенсированных микрополостей. [36]

Ер лежит в области локализованных состояний ( в зазоре) между ( - 1) - й и г-и подзонами Ландау. [37]

Возникновение в энергетических зонах локализованных состояний и их электрофизическая активность обусловлены в основном структурой химической связи вблизи дефектов, наличием примесей замещения и внедрения и электронным взаимодействием между подрешетками матрицы. Легирование примесями замещения используется с целью управления типом и концентрацией носителей заряда. А что можно сказать относительно других локализованных состояний. [38]

Там возможно также наличие локализованных состояний, например оборванных связей, энергии которых определяются зонной структурой, а не уровнями Ландау. Эти состояния в отличие от носителей в инверсионном слое не описываются в рамках формализма эффективной массы, и было бы некорректным считать их отщепленными от уровня Ландау. Тем не менее они могут выступать в роли резервуара электронов, поставляя носители в инверсионный слой и обусловливая тем самым наличие плато. [39]

Если волновая функция для локализованного состояния такова, что вероятность встретить электрон на инородном атоме и в кристалле одинакова, и если данное состояние дважды занято, мы имеем чисто гомеополярную поверхностную связь. [40]

Распределение этих вводимых фосфором локализованных состояний по энергиям оценивалось путем наилучшей подгонки к экспериментальным спектрам а - hv и оказалось, что они расположены приблизительно на 0 6 эВ выше Ev и образуют широкую полосу. Согласно Ямасаки и др., этот широкий пик следует связать с атомами фосфора с координационным числом 3 или соответствующим им дефектом, поскольку интегральное выражение N ( E) для этой полосы имеет почти тот же порядок величины, что и концентрация атомов фосфора. Плотность этих состояний намного меньше плотности состояний, соответствующих широкой полосе вблизи Ev 0 6 эВ, и поэтому их наличие не отражено в ФАС-данных. [41]

Распределение этих вводимых фосфором локализованных состояний по энергиям оценивалось путем наилучшей подгонки к экспериментальным спектрам a - hv и оказалось, что они расположены приблизительно на 0 6 эВ выше Ev и образуют широкую полосу. Согласно Ямасаки и др., этот широкий пик следует связать с атомами фосфора с координационным числом 3 или соответствующим им дефектом, поскольку интегральное выражение N E) для этой полосы имеет почти тот же порядок величины, что и концентрация атомов фосфора. Плотность этих состояний намного меньше плотности состояний, соответствующих широкой полосе вблизи Ev 0 6 эВ, и поэтому их наличие не отражено в ФАС-данных. [43]

Уровень энергии, соответствующий локализованному состоянию электрона, возникает в результате отщепления экстремального уровня зоны энергии и перехода его в запрещенную зону. Если возмущение отрицательно, то в запрещенной зоне возникает уровень энергии за счет отщепления уровня минимальной энергии. Если возмущение положительно, то в запрещенную зону переходит уровень максимальной энергии. Примером положительного возмущения является возмущение, существующее в области вакансии. [44]

Страницы: 1 2 3 4