Локализованное состояние

Cтраница 4

В электрическом поле волновые функции локализованных состояний деформируются так, чтобы эффективное поле рас-сеивателей ( a dV / dy a) в точности компенсировало внешнее поле Еу. С другой стороны, волновые функции некоторых делокализованных состояний деформируются противоположным образом, поскольку они должны оставаться ортогональными к функциям локализованных состояний. Благодаря этому электроны имеют дрейфовую скорость, превосходящую - сЕу / Н на величину, определяемую эффективным полем рассенвателей. Этот дополнительный холловский ток компенсирует потерю части носителей, ушедших на локализованные состояния. [46]

Ландау), разделенные областями локализованных состояний и / или энергетическими щелями, вообще не содержащими состояний. Лафлин показал, что если уровень Ферми находится вне зон делокализованных состояний и если поток Ф, пронизывающий отверстие кольцевого образца адиабатически увеличивается на один квант Ф0, то целое число i электронов перейдет с уровня Ферми внешней границы на уровень Ферми внутренней границы образца. [47]

Вероятность перескока электрона из одного локализованного состояния в другое с большей энергией пропорциональна фактору Больцмана ехр [ - AE / ( k T) ], где АЕ - разность энергий в обоих состояниях, и зависит от перекрытия волновых функций. [48]

Локализованные состояния для т 2 1. [49]

Теперь рассмотрим, как существование локализованных состояний зависит от величин параметров z, z и г ], которые определяют взаимодействие между инородным атомом и кристаллом. [50]

При достаточно высокой концентрации примеси локализованных состояний не существует и электроны находятся в зоне проводимости даже при очень низких температурах. Опыт показывает [1,2], что этот случай, по-видимому, действительно имеет место в некоторых из изученных образцов. Предполагая далее, что примеси слабо влияют на истинную структуру зон, можно сравнить экспериментальные значения g с вычисленными для зонных состояний в предыдущем параграфе. [51]

Акцепторные уровни - энергетические уровни локализованных состояний электронов, заполнение которых приводит к появлению дырок в валентной зоне. Ангармонизм колебаний - свойство колебаний, обусловленное их отклонением от гармонического. [52]

Донорные уровни - энергетические уровни локализованных состояний электронов, ионизация которых приводит к появлению электронов в зоне проводимости. [53]

Пример внутреннего электронно-дырочного обмена на границе a - Si р-п-перехода, действующего в качестве внутреннего электрода в мощном многослойном солнечном элементе. ОИО - оксиды индия-олова. Нерж. ст. - нержавеющая сталь.| Низкоомные универсальные омические контакты, созданные на основе использования свойств локализованных состояний в аморфном полупроводнике. а - схема, объясняющая принцип действия с мозаичным р / - омическим контактом. б - предлагаемый реальный универсальный омический контакт на основе аморфного полупроводника. [54]

Этот новый эффект, обусловленный локализованными состояниями, может найти применение в ближайшем будущем. [55]

Было показано, что существуют поверхностные локализованные состояния и, кроме того, так называемые подповерхностные состояния, у которых максимальная амплитуда волновой функции находится не на поверхности, а под ней. [56]

Страницы: 1 2 3 4