Электронное возбужденное состояние
Cтраница 3
Источниками фотонов с энергией меньшей или равной 1 кэв могут служить, как было указано выше: 1) тормозное излучение, 2) переход возбужденных ионов в основное состояние и 3) возвращение электронных возбужденных состояний в свои основные состояния; последний процесс представляет собой рекомбинацию пар носителей тока. [31]
Здесь А - молекула в основном состоянии, гА и 3А - синглетное и трип летное состояния соответственно; АКОЛеб - молекула с избытком колебательной энергии; А - низшее возбужденное состояние ( синглет или триплет); А - высшее электронное возбужденное состояние. [32]
А-молекула в основном низшем энергетическом состоянии; А и 3А - молекулы в синглетном и триплетом состояниях соответственно; АКол - молекулы с избыточной колебательной энергией; А - молекула в низшем электрон - Ном возбужденном состоянии ( синглетном или триплетном); А - молекула В высшем электронном возбужденном состоянии. [33]
А - молекула в основном низшем энергетическом состоянии; А и А - молекулы в синглетном и триплетном состояниях соответственно; Акол - молекулы с избыточной колебательной энергией; А - молекула в низшем электрон - Вом возбужденном состоянии ( синглетном или триплетном); А - молекула в высшем электронном возбужденном состоянии. [34]
В этом разделе будут последовательно рассмотрены изменения под действием облучения каталитических свойств собственных полупроводников, примесных полупроводников и изоляторов. Для простоты все электронные возбужденные состояния будут сведены к парам свободных носителей тока. [35]
Когда в тепловой пик входят поверхностные атомы, контактирующий с ними газ тоже нагревается до очень высокой температуры. При переносе через электронные возбужденные состояния энергия сообщается атому или молекуле, которые являются частью системы, находящейся в тепловом равновесии, причем последнее определяется средней температурой. При переносе энергии с помощью тепловых пиков температура групп молекул газа отличается от средней температуры. В первом случае имеет место нарушение распределения Максвелла - Больцмана, и, следовательно, здесь неприменимы законы термодинамики, тогда как во втором случае эти законы остаются в силе, но нужно учитывать местные перегревы в ограниченной зоне, находящейся в сфере воздействия тепловых пиков. На основании их можно сделать вывод, что перенос энергии через возбужденные состояния более вероятен как для эндотермических, так и для экзотермических реакций с большой энергией активации, а перенос через тепловые пики в основном происходит в реакциях, которые термодинамически возможны при высокой температуре, и, следовательно, большей частью в эндотермических реакциях. [36]
В этом разделе будут последовательно рассмотрены изменения под действием облучения каталитических свойств собственных полупроводников, примесных полупроводников и изоляторов. Для простоты все электронные возбужденные состояния будут сведены к парам свободных носителей тока. [37]
Когда в тепловой пик входят поверхностные атомы, контактирующий с ними газ тоже нагревается до очень высокой температуры. При переносе через электронные возбужденные состояния энергия сообщается атому или молекуле, которые являются частью системы, находящейся в тепловом равновесии, причем последнее определяется средней температурой. При переносе энергии с помощью тепловых пиков температура групп молекул газа отличается от средней температуры. В первом случае имеет место нарушение распределения Максвелла - Больцмана, и, следовательно, здесь неприменимы законы термодинамики, тогда как во втором случае эти законы остаются в силе, но нужно учитывать местные перегревы в ограниченной зоне, находящейся в сфере воздействия тепловых пиков. На основании их можно сделать вывод, что перенос энергии через возбужденные состояния более вероятен как для эндотермических, так и для экзотермических реакций с большой энергией активации, а перенос через тепловые пики в основном происходит в реакциях, которые термодинамически возможны при высокой температуре, и, следовательно, большей частью в эндотермических реакциях. [38]
Ди-польные моменты перехода представляют собой векторы. Для сложных молекул возможно существование нескольких электронных возбужденных состояний с различными дипольными моментами перехода и с различной пространственной ориентацией. [39]
Элементы тензора поляризуемости рассчитаны для очень простых молекул, и сравнивая интенсивности более сложных молекул с интенсивностью молекулы Н2 можно получить абсолютные значения элементов тензора поляризуемости этих молекул. Затем довольно просто можно учесть влияние электронных возбужденных состояний. Путем введения электронных волновых функций возбужденных состояний в уравнения ( IV, 7 - 14) - ( IV, 7 - 24) задача отыскания соответствующей компоненты ( а) вн т сводится к рассмотрению, проведенному в разд. [40]
Хотя доля энергии, пошедшей на образование структурных дефектов, обычно мала по сравнению с энергией, расходуемой на создание возбужденных электронных состояний, все же результатами структурных нарушений нельзя пренебрегать при изучении активации под действием облучения. Самым важным фактором является отношение стационарной концентрации электронных возбужденных состояний к концентрации структурных дефектов. Это отношение зависит как от природы радиации, так и от интенсивности облучения. [41]
Световые вспышки в сцинтилляторе возникают при высвечивании электронных возбужденных состояний, образующихся под действием ионизирующей частицы. Носители энергии мигрируют по кристаллу, пока не происходит захват их дефектами кристал-лич. Дефекты кристаллов можно разделить на две группы: центры люминесценции и центры поглощения ( тушения), в к-рых энергия, выделяющаяся при захвате носителя, рассеивается без высвечивания. Отсюда видно, что во вспышке люминесценции выделяется лишь часть энергии, потерянной в сцинтилляторе прошедшей через него частицей. Для того чтобы вспышки люминесценции можно было регистрировать в толстых слоях сцинтиллятора, они должны быть прозрачны для собственного свечения. [43]
Полосы поглощения некоторых молекулярных загрязнителей, в частности SO2, O3, NO, NO2) NH3, NCOH ( формальдегид), С6Н6 ( бензол), лежат в ультрафиолетовой области спектра. Молекулы, поглотившие квант света, оказываются в электронном возбужденном состоянии и могут участвовать как в различных безызлуча-тельных, так и в излучательных процессах. Поэтому представляется возможным использовать для контроля атмосферных загрязнителей и флуоресценцию. Весомым преимуществом флуоресцентных измерений является ( как и в оптико-акустическом методе) отсутствие большого фона, не несущего информации о поглощающих молекулах. [44]
Член Е ( 1) п уравнения (11.27) мы получили при выводе уравнения Кюри, только теперь в него вошел и орбитальный момент. Ег Эта разность может быть очень велика, если электронное возбужденное состояние близко по энергии к основному состоянию и имеет корректную симметрию. [45]
Страницы: 1 2 3 4