Закрытое состояние - транзистор
Cтраница 2
Участку 1 - 2 соответствует закрытое состояние транзистора и медленный разряд конденсатора через большое сопротивление г6 и базовую обмотку трансформатора. [16]
Диод Д, следовательно, обеспечивает надежное закрытое состояние транзистора Т2 в открытом элементе. [17]
 |
Транзистор в импульсном режиме. [18] |
Область отсечки / / / соответствует закрытому состоянию транзистора. Этот режим широко используется в импульсной технике. Так как на базу подается положительное напряжение, через нее, коллектор и эмиттер проходят обратные токи / бо, / ко и / эо. [19]
Возможность получения идеальных ключевых свойств в закрытом состоянии транзистора хотя и имеет место в рассматриваемом случае, однако ее техническая реализация весьма затруднительна, поскольку для точки А ( рис. 1) существенна временная и температурная нестабильность. [20]
Теперь уже правые обкладки конденсаторов окажутся присоединенными к земле и закрытое состояние транзистора Tj будет определяться положительным напряжением на конденсаторе Q. [21]
Здесь конденсатор Сб за время открытого состояния транзистора Т и закрытого состояния транзистора 77 должен успеть зарядиться. [22]
Коммутирующее ( управляющее) напряжение, позволяющее изменять соотношение между длительностью открытого и закрытого состояния транзистора, можно подвести к цепи эмиттер - база. Тогда цепь эмиттер - коллектор может быть использована как прерыватель тока, создаваемого источником питания в сопротивлении нагрузки. В этом случае транзистор используется одновременно как прерыватель и усилитель мощности, поэтому он является активным переключателем, позволяющим осуществить усилитель, работающий в режиме переключения. Основное достоинство режима переключения ( режима Д) заключается в высоком коэффициенте полезного действия, во много раз большем, чем в режимах непрерывного регулирования мощности. [23]
Основным назначением цепи VD2, E2, фиксирующей выходное напряжение при закрытом состоянии транзистора, является стабилизация мвых при наличии нагрузки Кяз. Диодная фиксация закрытого состояния транзистора применяется в ключах, когда важно иметь высокую нагрузочную способность. Цепь VDi, Е, фиксирующая открытое состояние транзистора, делает ключ более быстродействующим. Сами диоды VDi и VD2 в ключах с фиксацией должны быть малоинерционными. [24]
Падение напряжения на сопротивлении открытого диода D9 создает положительный потенциал базы и обеспечивает закрытое состояние транзистора ТЮ. В закрытом состоянии транзистора Т10 положение реле и контактов соответствует исходному состоянию. [25]
 |
Принципиальная электрическая схема триггера Шмитта ST270 - 4. [26] |
Падение напряжения на резисторе R6 создает отрицательный потенциал эмиттера по отношению к базе и обеспечивает закрытое состояние транзистора Т1 и исходное состояние триггера Шмитта. [27]
 |
Усилитель мощности, а - схема электрическая принципиальная. б - условное графическое обозначение по ГОСТу. в - Зоем-трон - 220, 382 и 383. г - Элка-22. [28] |
Падение напряжения на резисторе R6 создает отрицательный, потенциал эмиттера по отношению к базе и обеспечивает закрытое состояние транзистора Т1 и исходное состояние триггера. [29]
Падение напряжения на резисторе R1 создает на базе транзистора положительный потенциал - 1 2В и обеспечивает закрытое состояние транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5