Закрытое состояние - транзистор
Cтраница 4
Конденсатор С1 разряжается через резистор R3 по цепи: 12 В, R4, Cl, R2, О В. В закрытом состоянии транзистора Т2 через резистор R5 сигнал поступает на выход А схемы усилителя. [46]
Падение напряжения на сопротивлении открытого диода D9 создает положительный потенциал базы и обеспечивает закрытое состояние транзистора ТЮ. В закрытом состоянии транзистора Т10 положение реле и контактов соответствует исходному состоянию. [47]
Основным назначением цепи VD2, E2, фиксирующей выходное напряжение при закрытом состоянии транзистора, является стабилизация мвых при наличии нагрузки Кяз. Диодная фиксация закрытого состояния транзистора применяется в ключах, когда важно иметь высокую нагрузочную способность. Цепь VDi, Е, фиксирующая открытое состояние транзистора, делает ключ более быстродействующим. Сами диоды VDi и VD2 в ключах с фиксацией должны быть малоинерционными. [48]
На низкой частоте искрообразования - при пуске двигателя - конденсатор С5 успевает разрядиться практически полностью, а на высокой он разряжается в два этапа. Первый соответствует времени закрытого состояния транзистора VT1, а второй - закрытого состояния транзисторов VT2, VT3 ( диагр. [49]
Ключевой элемент может находиться в двух положениях: в разомкнутом и замкнутом. Разомкнутому положению ключа обычно соответствует закрытое состояние транзистора или диода, а замкнутому - открытое, проводящее состояние. Под воздействием управляющего сигнала цепь нагрузки либо подключается к источнику энергии, либо отключается от него в течение определенных промежутков времени. [50]
Под действием этой разности потенциалов через резистор R7 идет ток. Таким образом диоды Д2 и ДЗ обеспечивают полностью закрытое состояние транзистора Т1 при переключении транзистора Т2 в открытое состояние. [51]
 |
Структура эмиттера мощного биполярного транзистора. [52] |
При увеличении температуры концентрация носителей в высокоомной области транзистора, возникших вследствие термогенерации, может превысить концентрацию примеси, и р-п переход практически исчезнет; работа транзистора нарушится. Рост температуры приводит также к увеличению коллекторного тока в закрытом состоянии транзистора и остаточного напряжения на транзисторе в режиме насыщения, а также к снижению быстродействия. [53]
На низкой частоте искрообразования - при пуске двигателя - конденсатор С5 успевает разрядиться практически полностью, а на высокой он разряжается в два этапа. Первый соответствует времени закрытого состояния транзистора VT1, а второй - закрытого состояния транзисторов VT2, VT3 ( диагр. [54]
В исходном состоянии на вход Е усилителя с выхода инвертора поступает сигнал L, равный - - 11 5 В. В результате база транзистора получает отрицательный потенциал по отношению к эмиттеру и обеспечивает закрытое состояние транзистора. На выходе А схемы усилителя вырабатывается сигнал 0 ( UAo), который поступает на соответствующий катод цифровых индикаторных ламп. [55]
В исходном состоянии транзистор Г2 закрыт, так как конденсаторы моста разряжены и потенциал его базы равен нулю. Через общий эмиттер ный резистор R3 протекает ток открытого транзистора Тг, обеспечивающий закрытое состояние транзистора Tt. При наличии резистора связи Rt транзистор 7 открыт и насыщен. [56]
Ток цепи источника смещения протекает по цепи: 12 В, R2, R1, О В. Падение напряжения на резисторах R1 создает положительный потенциал на базах и обес - печивает закрытое состояние транзисторов Т1 обоих каскадов. [57]
 |
Зависимости. / о ( / б и Uaf ( T. [58] |
Заряд 7о, отдаваемый транзистором при его запирании во внешнюю цепь, сравнительно мало зависит от сопротивления этой цепи. Поэтому влияние переходного процесса при запирании транзистора на дрейф модулятора эквивалентно влиянию источника тока, действующего в течение всего закрытого состояния транзистора модулятора. [59]
Открытый транзистор Т, подключает нижний вход конъюнктора к нулевому потенциалу, создавая на нем и на выходе конъюнктора сигнал логического нуля. Таким образом, задавая триггеру Т, состояние логического нуля, а остальным триггерам состояние логической единицы, можно обеспечить закрытое состояние транзистора Т, и открытое состояние всех других транзисторов, что означает подключение выхода ФБ к / - й вертикальной линии ПМС с образованием так называемого непрерывного соединения. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5