Донорное состояние

Cтраница 1

Донорные состояния в нейтральном положении заполнены электронами, акцепторные состояния-в нейтральном положении пусты. [1]

Энергии первых возбужденных донорных состояний в кремнии были вычислены вариационным методом. [2]

Предполагается, что донорное состояние соответствует возбужденному состоянию, вызывающему люминесценцию n - терфенила; т 2 нсек в бен-оле, содержащем 1 г / Л п-терфенила. [3]

Предполагается, что донорное состояние соответствует возбужденному состоянию, вызывающему люминесценцию п-терфенила; т 2 нсек в бен-чоле, содержащем 1 г / л п-терфенила. [4]

ND обозначает концентрацию донорных состояний. [5]

В слабо легированном полупроводнике донорные состояния характеризуются резкими уровнями энергии. [6]

Рост и спад фототока в слое стекол сие - IglpfA темы Si-Ge - As - Те при А. 1 06 мкм, Т 77 К.. Г - Lr 1013 фотон / ( см2 с. В каждой последующей кривой уровень возбуждения увеличивается примерно в 4 раза.| Электрические и фотоэлектрические параметры некоторых оксюсвУ ьУогся1идяму и хядь1Сувктл11мх стекол. [7]

Дефект типа D образует донорное состояние в верхней половине запрещенной зоны, а дефект D - - акцепторное состояние в нижней половине запрещенной зоны. D являются ловушками для электронов и дырок, генерируемых световым возбуждением. Захваченные носители могут высвобождаться в валентную зону или в зону проводимости и приводить к росту проводимости До. Бели в проводимости превалирует дырочный механизм, как это обычно бывает в ХСП, тогда Л о const Д ехр ( - KVfcT), где W - энергия, требующаяся для возбуждения дырки с разорванной связью в валентную зону. [8]

Теоретически рассчитано сверхтонкое расщепление донорных состояний в кремнии. [9]

В германии энергии ионизации основных донорных состояний значительно меньше, чем в кремнии. [10]

Авторы предположили, что свойства донорных состояний ароматических жидкостей отличны от свойств донорных состояний изолированных ароматических молекул. Сравнимые предположения сделали Кропп и Бэртон [161] из измерений скоростей тушения и скоростей переноса энергии от ароматических растворителей или растворенных сцинтилляторов к галогенсодержащим соединениям, С этими наблюдениями можно сопоставить поведение оптически возбужденных систем. Иванова и др. [139] определили концентрационную зависимость времени люминесценции бензола, толуола и - ксилола в я-гексане и октане, облучаемых УФ-светом. Они показали, что концентрационное тушение мало, а времена жизни и выходы люминесценции бензола и толуола даже возрастают в диапазоне концентраций, приближающемся к чистому ароматическому углеводороду. [11]

Авторы предположили, что свойства донорных состояний ароматических жидкостей отличны от свойств донорных состояний изолированных ароматических молекул. Сравнимые предположения сделали Кропп и Бэртон [161] из измерений скоростей тушения и скоростей переноса энергии от ароматических растворителей или растворенных сцинтилляторов к галогенсодержащим соединениям. С этими наблюдениями можно сопоставить поведение оптически возбужденных систем. Иванова и др. [139] определили концентрационную зависимость времени люминесценции бензола, толуола и п-ксилола в - гексане и октане, облучаемых УФ-светом. Они показали, что концентрационное тушение мало, а времена жизни и выходы люминесценции бензола и толуола даже возрастают в диапазоне концентраций, приближающемся к чистому ароматическому углеводороду. [12]

Недавно обнаруженные факты, указывающие на существование донорных состояний на расстоянии 0 0 эв от потолка валентной зоны, могут привести к пересмотру статистики для сильно выраженного дырочного германия с примесью золота. Связанные с этим вопросы будут обсуждены в одной из последующих статей. [13]

Представляет также интерес вопрос о наличии таких же донорных состояний и у других элементов в германии. Низколежащие донорные уровни весьма трудно обнаружить, так как они не проявляют себя самостоятельно как доноры, а играют лишь роль центров захвата для дырок. Вполне возможно, что при исследовании переходных элементов, которые обладают такими то акцепторными состояниями, как и золото, будет обнаружено и у них наличие одного или нескольких донорных уровней. [14]

С повышением температуры все большее число электронов переходит из донорных состояний в зону проводимости, но, помимо этого, возрастает и число тепловых флуктуации, способных возбуждать электроны из валентной зоны и перебрасывать их через запрещенную зону энергий. Поэтому при высоких температурах уровень Ферми имеет тенденцию смещаться вниз ( сплошная кривая) к своему предельному положению в центре запрещенной зоны, характерному для собственного полупроводника. [15]

Страницы: 1 2 3 4