Медленное поверхностное состояние

Cтраница 1

Структура поверхностного слоя германия ( а и расположение быстрых и медленных поверхностных состояний ( изгиб зон у поверхности непоказан ( б. [1]

Медленные поверхностные состояния могут создаваться также атомами примеси, находящимися в самом окисле. Плотность медленных состояний значительно больше, чем быстрых ( 1017 - 1019м - 2) г и сильно зависит от их природы и состояния внешней среды. [2]

Быстрые к медленные поверхностные состояния. Поверхностны, состояния, обусловленные дефектами поверхности и адсорбциее на ней чужеродных частиц, располагаются в непосредственной близости от поверхности и находятся в хорошем контакте с объемой полупроводника. [3]

Какие основные функции выполняют быстрые и медленные поверхностные состояния. [4]

Нанося изолятор на свежепротравленную поверхность, удается избежать образования медленных поверхностных состояний и снизить концентрацию быстрых уровней до требуемой величины. Такие устройства могут работать как переменные емкости. [5]

На рис. 9.7 показана структура энергетических зон у поверхности полупроводника с учетом быстрых и медленных поверхностных состояний. [6]

Существенно, что при достаточно быстром заряжении электрода, когда в значительной степени исключается релаксация медленных поверхностных состояний, можно достичь весьма высоких значений поверхностного потенциала. Соответствующая величина емкости области пространственного заряда оказывается сравнимой с емкостью слоя Гельмтольца или даже превосходит ее; при этом достигаются благоприятные условия для измерения гельмгольцевой емкости полупроводникового электрода. [7]

Это свидетельствует о том, что при адсорбции на поверхности германия молекул нитробензола происходит увеличение концентрации медленных поверхностных состояний. [8]

Эквипотенциальные поверхности в области объемного заряда коллектора транзистора типа р-п - р при наличии протонов.| Гистерезис обратной ветви вольт-амперной характеристики прибора при наличии протонов на поверхности. [9]

Медленный дрейф обратного тока в сторону увеличения связан с тем, что в области пространственного заряда меняется заполнение медленных поверхностных состояний. [10]

Работа выхода электронов из окисной пленки определяется, очевидно, свойствами всех находящихся в ней частиц, или, другими словами, всей системой быстрых и медленных поверхностных состояний. [11]

Сопоставляя эти факты, логично сделать вывод о том, что электрическое поле диполя, подошедшего к рекомбинационному центру, настолько резко меняет его сечения захвата носителей тока, что центр становится медленным поверхностным состоянием. [12]

В слое оксида концентрация носителей заряда ничтожно мала. Такие поверхностные состояния называют медленными поверхностными состояниями. Время релаксации медленных поверхностных состояний составляет обычно от миллисекунд до нескольких часов. [13]

В слое окисла концентрация носителей заряда ничтожно мала. Такие поверхностные состояния называют медленными поверхностными состояниями. Время релаксации медленных поверхностных состояний обычно от миллисекунд до нескольких часов. [14]

Наиболее перспективны для применения в области частот, на которых обычно сказываются шумы типа Iff, по-видимому, кремниевые пленарные транзисторы при условии получения у них высоких коэффициентов передачи по току при токах порядка 10 мка. Чтобы снизить у этих транзисторов шум типа 1 / /, связанный с существованием медленных поверхностных состояний, следует принимать меры для уменьшения нерегулярностей структуры, посторонних примесей и других дефектов внутри окисной пленки, защищающей поверхность пленарных транзисторов. [15]

Страницы: 1 2