Медленное поверхностное состояние

Cтраница 2

Некоторые поверхностные состояния создают вблизи середины запрещенной зоны энергетические уровни, которые являются уровнями рекомбинационных ловушек. Рекомбинационными ловушками могут быть только быстрые поверхностные состояния, так как время перехода носителей на медленные поверхностные состояния очень велико. [16]

Состояние поверхности полупроводника определяет также величину шум-фактора. Экспериментальные данные подтвердили зависимость шум-фактора от газовой среды, что говорит о наличии связи между шумами и поведением медленных поверхностных состояний. [17]

В слое оксида концентрация носителей заряда ничтожно мала. Такие поверхностные состояния называют медленными поверхностными состояниями. Время релаксации медленных поверхностных состояний составляет обычно от миллисекунд до нескольких часов. [18]

В слое окисла концентрация носителей заряда ничтожно мала. Такие поверхностные состояния называют медленными поверхностными состояниями. Время релаксации медленных поверхностных состояний обычно от миллисекунд до нескольких часов. [19]

Использованная нами экспериментальная методика позволяла непосредственно определять величину полного поверхностного заряда и следить за его изменениями в результате различных внешних воздействий. При этом было установлено, что прогревы в вакууме, приводящие к весьма значительным изменениям концентраций быстрых поверхностных состояний, вызывают очень незначительные изменения полного поверхностного заряда. Поскольку полный поверхностный заряд складывается из зарядов быстрых и медленных поверхностных состояний, это означает, что изменения заряда быстрых состояний компенсируются почти равными, но обратными по знаку изменениями заряда медленных состояний. Анализ экспериментальных данных приводит к заключению, что такая компенсация обусловлена взаимными превращениями быстрых состояний в медленные и обратно в результате адсорбционно-десорбционных процессов. [20]

Из рассмотрения уравнений ( 3), ( 25) - ( 27) следует, что для уменьшения коэффициента шума в области фликкер-шума следует снижать рабочий ток. Количество носителей, подвергающихся захвату этими состояниями, уменьшается с ростом высоты потенциального барьера и с уменьшением общего количества проходящих через переход носителей заряда. Поэтому при снижении смещения на эмиттерном переходе уменьшается число захватываемых и освобождаемых медленными поверхностными состояниями носителей и, следовательно, снижаются связанные с этим процессом шумы. [21]

Основная нестабильность поверхностного заряда обусловлена миграцией ионов щелочных металлов. Мигрирующие ионы создают подвижный заряд. Под действием приложенного напряжения ионы дрейфуют к границе раздела кремний - диоксид кремния и изменяют величину поверхностного заряда. Наличие протонов также приводит к нестабильности электронных процессов на поверхности, так как протоны образуют быстрые и медленные поверхностные состояния. [22]

Зависимость изгиба зон от величины напряжения, приложенного к структуре.| Изменение поверхностной электропроводности с течением времени от момента подачи внешнего напряжения. [23]

Уменьшение поверхностной электропроводности объясняется захватом носителей заряда поверхностными уровнями. Две разных по скорости изменения поверхностной электропроводности стадии указывают на то, что на поверхности имеются две различные системы поверхностных состояний. Одна система уровней характеризуется временем захвата носителей порядка 10 - 8 с, эти уровни называют быстрыми поверхностными состояниями. Другая система уровней имеет время захвата носителей заряда более 10 - 3 с, эти уровни называют медленными поверхностными состояниями. Большое различие во временах захвата носителей обусловлено различием в местоположении быстрых и медленных состояний. Рассматривая строение реальной поверхности полупроводников, мы отмечали, что поверхностные уровни имеются на поверхности полупроводников и оксидов. [24]

Страницы: 1 2