Спад - импульс
Cтраница 5
 |
К расчету мощности рассеяния на коллекторе при трапецеидальных импульсах тока и напряжения. [61] |
Из формулы следует, что чем короче фронт и спад импульса, тем меньше рассеиваемая транзистором мощность. [62]
В связи с тем что процессы формирования фронта и спада импульса аналогичны, их длительность примерно одинакова. Инерционность транзисторов способствует некоторому удлинению фронта и спада генерируемых импульсов, однако для современных транзисторов их длительность не превышает десятков наносекунд. [63]
Часть из них уходит через коллекторный, переход, затягивая спад импульса тока коллектора и размывая его задний фронт, остальные рекомбинируют с основными носителями базы. [64]
Выпускают стабилизированные по температуре приборы, обеспечивающие время нарастания и спада импульса 0 3 мксек и время коммутации 0 5 мксек; миниатюрные точечные германиевые приборы, предназначенные для использования в качестве видеодетектора в телевизорах и для работы в быстродействующих вычислительных машинах. [65]
Выпускают стабилизированные по температуре приборы, обеспечивающие 1Время нарастания и спада импульса 0 3 мксек и время коммутации 0 5 мксек; миниатюрные точечные германиевые приборы, предназначенные для использования в качестве видеодетектора в телевизорах и работы в быстродействующих вычислительных машинах. [66]
 |
Схема мультивибратора с разделительными диодами ( а и форма импульсов на выходе и в точке А ( б. [67] |
Таким образом, в такой схеме процесс формирования фронта и спада импульсов в коллекторной цепи транзисторов протекает быстро и в основном определяется частотными свойствами транзисторов. [68]
Страницы: 1 2 3 4 5