Спаривание - электрон
Cтраница 4
Хотя оба метода подчеркивают роль спаривания электронов, они учитывают его различными способами. Теория МО не интересуется тем, откуда появляется в молекуле электрон, а занимается вычислением молекулярных орбиталей из подходящих для этого атомных орбиталей. Полученные молекулярные орбитали заселяются электронами в соответствии с принципом заполнения и принципом Паули. Метод ВС с самого начала имеет дело со спаренными электронами и сводится к вычислению энергии различных ( канонических) структур, учитывающих всевозможные способы спаривания электронов в молекуле. С этой процедурой связано понятие резонанса. [46]
Итак, в металле может происходить спаривание электронов. Электронные пары имеют целочисленный спин и подчиняются статистике Бозе. Неидеальный бозе-газ обладает свойством сверхтекучести. Так как пары заряжены, то сверхтекучее движение электронов соответствует появлению сверхпроводимости. Заметим, что функцию ( 64 9) нельзя разложить в ряд около точки р 0, а следовательно, никакие расчеты, построенные на основе теории возмущений, не могли привести к выяснению явления сверхпроводимости. [47]
И при учете принципа Паули понятие спаривания электронов ( а точнее, атомных орбиталей сохраняется. Выше орбитальное спаривание было показано на-глядно в виде диаграмм, которые называют диаграммами Румера. [48]
Сразу же отметим, что требование обязательного спаривания электронов с противоположным спином и сведение всех химических связей только к двухцентровым двухэлектронным связям оправдывается только для ограниченного круга соединений. [49]
 |
Схема образования химических связей в результате перекрывания электронных облаков. [50] |
Таким образом, перекрывание электронных облаков или спаривание электронов может происходить только в том случае, если их спины противоположны. [51]
Поэтому при комп-лексообразовании в ряде случаев происходит спаривание электронов. Правило Гунда в этом случае к uf - подуровню в целом не применимо, но применимо лишь к dr - и - ячейкам. Последние, таким образом, становятся якобы самостоятельными подуровнями. Этот случай называется случаем сильного поля, а соответствующие комплексные соединения - низкоспиновыми или спин-спаренными. [52]
Этот результат свидетельствует о том, что спаривание электронов не является следствием их взаимодействия с одним ионом в узле кристаллической решетки, а возникает как результат коллективного взаимодействия со многими узлами. Поскольку расстояние между электронами в паре имеет порядок 1 мкм, в пределах такого расстояния движения электронов пары строго коррелированы и взаимно когерентны. Эта корреляция является корреляцией дальнего порядка и простирается на расстояние, называемое длиной когерентности. [53]
 |
Схема образования химических связей в результате перекрывания электоонных облаков. [54] |
Таким образом, перекрывание электронных облаков или спаривание электронов может происходить только в том случае, если их спины противоположны. [55]
Лежащий в основе метода валентных схем принцип обязательного спаривания электронов, имеющих антипараллельную ориентацию спинов, в известной мере справедлив лишь для s - электронов. Это объясняется тем, что все атомные уровни, кроме s, являются вырожденными. Отсюда возникают все трудности метода валентных схем при описании, например, парамагнитных молекул. [56]
Для NO возможны разнообразные реакции, сопровождающиеся спариванием электрона. [57]
В основе метода ВС лежит представление о спаривании электронов, происходящем при перекрывании АО. Обобщенная пара, электронов с противоположными спинами образует между ядрами двух атомов область с повышенной электронной плотностью, притягивающую оба ядра. Возникает двухэлектронная ковалеитная связь. АО в молекуле сохраняют свою индивидуальность. [58]
Чтобы ион кислорода мог принимать участие в спаривании электронов ионов металла, достаточно, чтобы его л-орбитали хотя бы в некоторой степени ( возможно, и в очень малой) перекрывались с d - орбиталями ионов металла. В результате этого перекрывания произойдет переход от системы, в которой спины неспаренных ci - элект-ронов ориентированы произвольно, к системе с антипараллельными спинами. [59]
Страницы: 1 2 3 4