Cтраница 1
Спектр собственного поглощения достаточно широк, так как при поглощении фотонов с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны, электроны могут переходить на более высокие энергетические уровни, лежащие дальше от дна зоны проводимости. Эти свободные электроны, обладающие более высокой энергией - горячие электроны - в процессе движения за некоторое среднее время tp рассеивают избыток энергии на кристаллической решетке и опускаются на более низкие свободные энергетические уровни вблизи дна зоны проводимости. [1]
![]() |
Значения D и соответствующие им значения т. [2] |
Спектры собственного поглощения стекол, не содержащих в значительных количествах красящих примесей, характеризуются границей пропускания, определяемой А пр. [3]
Поэтому спектр собственного поглощения имеет четко выраженную границу, называемую красной границей фотоэффекта и определяемую соотношением Хгр с / г / А. [4]
![]() |
Температурная зависимость структуры первой полосы собственного. [5] |
В спектре собственного поглощения указанных пленок обнаружены четыре узкие полосы, расположенные в интервале всего лишь 0 5 эв. Длинноволновые максимумы, являющиеся менее интенсивными чем коротковолновые, нельзя рассматривать в виде аналогов аир полос. [6]
Ландау, вследствие чего спектр собственного поглощения должен представлять собой ряд узких полос. Этот эффект при низких температурах и больших магнитных полях наблюдается в ряде веществ, он называется осцилляторным магнитноабсорбционным эффектом, или магнетопоглощением. Мы видим, что пропускание имеет целый ряд пиков, положение которых зависит от величины поля. На рис. 131 6 представлена зависимость положения максимумов магнетопоглощения от величины поля. При 5 - 0 положение всех максимумов сходится к одной точке, представляющей собой оптическую ширину запрещенной зоны германия при вертикальных переходах. Этот эффект позволяет определить ширину запрещенной зоны с наибольшей точностью. Осцилляторный магнит-ноабсорбционный эффект подобен циклотронному резонансу, поскольку и в том и другом эффектах происходит переход электронов между уровнями Ландау, но при циклотронном резонансе происходит переход электронов между уровнями Ландау одной и той же зоны, а при магнетопоглощении - между уровнями Ландау различных зон. Энергии фотонов, необходимых для таких переходов, отличаются на величину порядка ширины запрещенной зоны. [7]
![]() |
Положение края собственного поглощения для некоторых полупроводников. [8] |
Температура и давление оказывают существенное влияние на спектр собственного поглощения полупроводников, что связано с зависимостью ширины запрещенной зоны от этих факторов. [9]
![]() |
Спектры фоторезистивного эффекта в области собственного поглощения. [10] |
Спектральная зависимость фоторезистивного эффекта, соответствующего собственному поглощению, отличается от спектров собственного поглощения. [11]
Экспериментальные исследования экситонного поглощения в щелочно-галоидных кристаллах ограничиваются тем обстоятельством, что спектры собственного поглощения этих кристаллов расположены в далекой ультрафиолетовой области, в которой обычно применяемые и легко доступные методы спектрофотомет-рии оказываются непригодными. [12]
Возникновение узких дискретных полос поглощения - не единственное изменение, вносимое экси-тонными состояниями в спектр собственного поглощения. [14]
Но отсюда следует, что коэффициент собственного поглощения отличен от нуля только при переходах электронов между уровнями Ландау, вследствие чего спектр собственного поглощения должен представлять собой ряд узких полос. Этот эффект при низких температурах и больших магнитных полях наблюдается в ряде веществ, он называется осцилляторным магнитно-абсорбционным эффектом, или магнетопоглощением. Мы видим, что пропускание имеет целый ряд пиков, положение которых зависит от величины поля. На рис. 120, б представлена зависимость положения максимумов магнетопоглощения от величины поля. При В-0 положение всех максимумов сходится к одной точке, представляющей собой оптическую ширину запрещенной зоны германия при вертикальных переходах. Этот эффект позволяет определить ширину запрещенной зоны с наибольшей точностью. Ос-цилляторный магнитноабсорбционный эффект подобен циклотронному резонансу, поскольку и в том и другом эффектах происходит переход электронов между уровнями Ландау, но при циклотронном резонансе происходит переход электронов между уровнями Ландау одной и той же зоны, а при магнетопоглощении - между уровнями Ландау различных зон. Энергии фотонов, необходимых для таких переходов, отличаются на величину порядка ширины запрещенной зоны. [15]