Спектр - собственное поглощение
Cтраница 2
Таким образом, для каждого полупроводника биполярная генерация наблюдается лишь в определенной части спектра световых колебаний. Эта часть спектра называется спектром собственного поглощения. [16]
Рассмотрим влияние легирования полупроводника на собственное поглощение. До тех пор пока уровень легирования не слишком; высок и Полупроводник остается невырожденным, легирование практически не сказывается на спектре собственного поглощения. Объясняется это тем: что в невырожденных полупроводниках степень заполнения электронами состояний в зоне проводимости очень мала, так что они практически не мешают переходам электронов из валентной зоны. G другой стороны, в невырожденных полупроводниках даже р-типа степень заполнения состояний в валентной зоне близка к 1 и вероятность оптических переходов из этих состояний не зависиг от степени легирования. [17]
О поглощения ( mcui) начинается область собственного поглощения, - связанного с переходами электронов из валентной зоны IB зону проводимости. Колебания узлов кристаллической решетки и всякого рода дефекты кристаллической структуры приводят к уширению линий экситонного поглощения, а в некоторых случаях даже к слиянию экситонного спектра со спектром собственного поглощения. [18]
Цинксульфидные и другие подобные им порошкообразные светосоставы из-за своей сложной структуры и содержания плавней, роль которых до сего времени не выяснена, являются неподходящими объектами для исследования природы электронных локальных уровней захвата. Наиболее удобными объектами для подобных исследований являются окрашенные щелочно-галоидные кристаллы, так как селективное поглощение света электронами на уровнях захвата проявляется в этих кристаллах в виде резких спектральных полос, не перекрывающихся со спектром собственного поглощения решетки и расположенных в спектральной области, легко доступной исследованию. [19]
Аналитические решения уравнения электронейтральности и уравнения баланса, полученные в предыдущем параграфе для собственных полупроводников, позволяют проследить не только за уменьшением поглощения на частоте возбуждающего-света, но и рассмотреть начальный этап изменения всего спектра собственного поглощения. [20]
 |
Край собственного поглощения.| Спектр отражения антимонида индия при 7300 К.| Частота фононов, см -, в некоторых соединениях Aingv. [21] |
В твердых растворах край собственного поглощения сдвигается при изменении их состава в соответствии с изменением ширины запрещенной зоны. При х 0 46 край поглощения определяется прямыми, а при х 0 46 непрямыми переходами в экситонное состояние. В области составов, соответствующих прямым переходам, форма края собственного поглощения в твердых растворах аналогична таковой для бинарного компонента с эквивалентной зонной структурой. В области составов, соответствующих непрямым переходам, спектр собственного поглощения твердых растворов при общем подобии непрямому бинарному компоненту обладает характерными особенностями. Кроме переходов с участием фононов, в таких твердых растворах наблюдаются непрямые оптические переходы без участия фононов. При уменьшении х интенсивность бесфононного компонента возрастает. Кроме этого, происходит быстрое ( резонансное) увеличение интенсивности LA-компонентов. [22]
Страницы: 1 2