Спектр - фотопроводимость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
При поносе важно, какая скорость у тебя, а не у твоего провайдера. Законы Мерфи (еще...)

Спектр - фотопроводимость

Cтраница 3


При изучении спектров ЭПР и фотопроводимости показана [9-11] возможность образования простейших радиационных дефектов при низкотемпературном облучении. Облучение быстрыми электронами кремния при низких температурах приводит к появлению в спектрах фотопроводимости бесструктурной компоненты. Однако методом ЭПР [9, 10, 12] идентифицированы только спектры, связанные с изолированными вакансиями и установлены области их термической устойчивости. Оказалось, что в процессе миграции вакансии образуют комплексы со многими примесями замещения, взаимодействуют между собой с образованием дивакансий и, вероятно, более сложных ва-кансионных комплексов.  [31]

32 Кинетика изменения оптической плотности пленки полиакрилонит-рила при температуре 224 С и кинетика нарастания величины фотопроводимости при той же температуре для длины волны 450 ммк.| Спектры фотопроводимости полиакрилонитрила, подвергнутого термолизу при температурах 250 С ( 1. 300 С ( 2, 400 С, 3 часа ( 3. 450 С, 3 часа ( 4. 500 С, 2 часа ( 5 Кривые приведены к одинаковому значению в максимуме и сдвинуты по оси ординат друг относительно друга. [32]

У ПАН, обработанного при 200 - 300 С, максимум фотопроводимости лежит в области около 420 ммк. При увеличении температуры обработки он смещается в сторону длинных волн, причем спектры фотопроводимости становятся все более широкими.  [33]

Такое различие определяется тем, что для толстого слоя слабо поглощаемый свет освобождает носители в глубине образца, а сильно поглощаемый свет - вблизи поверхности, где существенна поверхностная рекомбинация, приводящая к уменьшению стационарной концентрации носителей заряда. Для стопы же, как и для тонкого слоя, и сильно и слабо поглощаемый свет освобождают носители только вблизи поверхности; из двух возможных процессов рекомбинации зарядов ( поверхностного и объемного), которые связаны нелинейно между собой, остается лишь поверхностный процесс, и связь спектра фотопроводимости со спектром поглощения упрощается.  [34]

35 Спектры поглощения при фотовозбуждении и фотоионизации акцепторов группы III. а В. б Al. e Ga. г In в Si при температуре жидкого гелия. Для случая а штриховой линией показан теоретический спектр поглощения при ионизации в модели водородоподобных примесей. [35]

Минимумы в спектре фотопроводимости в области между 8 и 24 мкм обусловлены поглощением на колебаниях решетки.  [36]

Диаграмма энергетических уровней ( см. рис. 10.13) показывает, что возбуждение в полосе с переносом заряда не обязательно приводит к фотопроводимости. В самом деле, главный пик в спектре фотопроводимости обычно соответствует полосе поглощения донора, а не полосе с переносом заряда. Однако в некоторых случаях в спектре фотопроводимости имеется второй пик, соответствующий поглощению в полосе с переносом заряда.  [37]

Полученный спектр располагается в области энергий фотонов, меньших энергии ионизации примесей 0, и состоит из линий спектральных серий, отвечающих энергиям оптич. У примесей одного типа доноров или акцепторов) разной хим. природы в данном ПП энергии возбужденных состояний, в к-рые осуществляется переход, различаются очень мало, а энергии осн. Полупроводники), что и позволяет определять хим. природу примесей по спектрам фотопроводимости.  [38]

Для темнового - чисто термического отщепления электрона от молекулы в рассматриваемых кристаллах требуется, таким образом, энергия, как правило, меньше порогового кванта света, вызывающего фотопроводимость в видимом максимуме поглощения. Из обширных измерений Вартаняна, проведенных над многочисленными красителями различных классов, следует, что для большинства из них имеет место указанное соотношение. Так, для темновой энергии активации 2Е им получено 0.74 эв в случае кристаллического фиолетового и 1.0 эв в случае метиленового голубого, в то время как длинноволновая граница максимума спектра фотопроводимости, практически совпадающего с максимумом спектра поглощения, находится, около 1.7 эв для первого и 1.65 эв для второго.  [39]

По сравнению с раствором в пленке полосы поглощения индивидуальных молекул сильно размываются. Резкое возрастание поглощения в коротковолновой области спектра свидетельствует о том, что в пленке существует обобществленная система электронов, участвующая в поглощении. Спектр фотопроводимости в основном воспроизводит спектр поглощения твердой пленки. На основании вышесказанного можно заключить, что в твердом полимере реализуются полосы энергий для электронов, охватывающие все молекулы, и, следовательно, с известными ограничениями можно применить зонную схему к этому полимеру.  [40]

Значительный внутренний фотоэффект обнаружен и исследован в органических полимерах с тройными связями R - [ СС-R. Закон Ома не выполняется. Спектр поглощения сравнивается со спектрами фотопроводимости, фотоэдс и люминесценции. Предварительное ультрафиолетовое освещение увеличивает фоточувствительность, что связывается с разрывом связей и захватом электронов в ловушки. Последнее подтверждается измерениями ЭПР. Удаление воздуха приводит к увеличению темновой и фотопроводимости на 3 и 2 порядка соответственно и фотоэдс в 5 раз. Кислород и пары воды обратимо подавляют темновую и фотопроводимость. Высказано предположение, что имеет место фотодесорбция кислорода с поверхности. Электронные акцепторы ( хинон, хлоранил) и пары ртути оказывают существенное влияние на полупроводниковые свойства. Фотоэффект в полимерах может быть спектрально сенсибилизован различными органическими красителями. Собственная чувствительность также изменяется при адсорбции красителей. Обсуждается механизм обнаруженных явлений.  [41]

Многие П.п. обладают высокой фотоэлектрич. Носители фототока могут иметь как положительный, так и отрицательный знак. В ряде случаев длинноволновый максимум фотопроводимости расположен на длинноволновом спаде кривой оптич. Это явленно объясняется поверхностной рекомбинацией фотоносителсй. Спектр фото-эдс обычно сдвинут в коротковолновую область относительно спектра фотопроводимости.  [42]

Многие П.п. обладают высокой фотоэлектрич. Носители фототока могут иметь как положительный, так и отрицательный знак. В ряде случаев длинноволновый максимум фотопроводимости расположен на длинноволновом спаде кривой оптич. Это явление объясняется поверхностной рекомбинацией фотоносителей. Спектр фото-эдс обычно сдвинут в коротковолновую область относительно спектра фотопроводимости.  [43]



Страницы:      1    2    3