Cтраница 3
Таким образом, энергетический спектр электронов в кристалле имеет зонную структуру. [31]
Таким образом, энергетический спектр электронов в реаль - & ных кристаллах имеет зонный характер. [32]
Таким образом, энергетический спектр электрона в периодическом поле должен состоять из ряда энергетических зон, некоторые из которых могут быть разделены запрещенными зонами. [33]
Таким образом, энергетический спектр электронов твердого тела состоит из разрешенных и запрещенных зон. Расстояние между энергетическими уровнями внутри каждой из разрешенных зон чрезвычайно мало по сравнению с шириной запрещенных зон. Рассмотренная схема энергетических уровней изолированного атома является идеализированной. Если более полно учесть взаимодействие электронов, то окажется, что энергия электронов в оболочке не одинакова, а зависит, например, от момента импульса. При этом энергия электрона с более высоким значением п может быть не больше, а меньше энергии электронов на предшествующем уровне. В результате изменяется последовательность заполнения электронами оболочек. Соответственно изменяется и структура энергетических зон кристалла и их заполнение электронами. Однако общий характер спектра твердого тела не изменяется. [34]
Наиболее существенной особенностью энергетического спектра электронов в твердых телах является расширение атомных уровней в некоторые зоны, ширина которых определяется вероятностью обмена электронов между соседними узлами решетки. При качественном рассмотрении этого вопроса достаточно обратиться к теории туннельного эффекта. [35]
![]() |
Холодные кривые натрия и алюминия ( давление в ГПа в зависимости. [36] |
Учет зонной структуры энергетического спектра электронов в модели Хартри-Фока - Слэтера позволяет применять ее не только для расчета свойств разреженной и плотной газовой плазмы, но и для расчета свойств твердых веществ при сильном сжатии. [37]
Объяснение непрерывного характера энергетического спектра электронов в свое время было связано с очень большими трудностями. Казалось естественным ожидать, что, подобно а-распаду, Р - распад также должен приводить к испусканию моноэнергетических электронов, энергия которых должна определяться разностью масс исходного и конечного ядер. [38]
Предложена двухзонная модель энергетического спектра электронов бинарных соединений VsSi3 и VsGe3 с тетрагональной структурой. С помощью этой модели рассчитаны некоторые параметры переноса и электронного спектра: эффективные массы электронов и дырок, их подвижность н концентрация, а также плотность состояний вблизи уровня Ферми при ОК. При расчетах указанных параметров использовались данные о коэффициентах электропроводности, абсолютной термоЭДС, Холла, магнитной восприимчивости, а также их температурных зависимостях. [39]
Рассмотрим вопрос об энергетическом спектре электрона, движущегося в периодическом поле. [40]
На рис. 2.5 представлен энергетический спектр электронов, вылетающих из образца одного из легких элементов при облучении его жестким монохроматическим рентгеновским излучением. [41]
В га-германии и га-кремнии энергетический спектр электронов состоит из ряда эквивалентных минимумов, симметрично расположенных в зоне Бриллюэна. [42]
![]() |
Энергетический спектр электрона в сильном магнитном поле. [43] |
На рис. 46 представлен энергетический спектр электрона в сильном магнитном поле. [44]
Довольно значительное количество исследований энергетических спектров электронов в тугоплавких соединениях было выполнено методом сильной связи ( ЛКАО), основанным на предположении о сильной локализации всех валентных электронов вблизи ядер. Не касаясь существа этого метода, детально описанного во многих специальных руководствах ( см., например, [19-21]), отметим лишь, что он не может обеспечить точного решения уравнения Шредингера, поскольку волновые функции, соответствующие связующим электронным состояниям, не образуют полного набора. Кроме того, следует иметь в виду, что в пространстве между атомами форма потенциала довольно гладкая, поэтому здесь состояние электронов должно описываться почти плоскими волнами. Суперпозиция же атомных функций с учетом их перекрывания в обсуждаемых областях может приводить к всплескам электронных плотностей. В связи с этим подобный подход к исследованию полосной структуры менее корректен, чем используемый в методах ППВ и ОПВ. Тем не менее метод сильной связи, являясь технически более простым, может быть успешно использован для изучения электронных состояний в произвольных точках зоны Брил-люэна. [45]