Cтраница 1
Оптические спектры поглощения и излучения атомов и молекул - рассказывает Л. А. Климова-возникают при переходах между состояниями с разными энергиями. При поглощении энергия атома или молекулы увеличивается, при излучении уменьшается. В случае с атомом единственная возможность изменения энергии состоит в изменении состояния электронной оболочки. В случае с молекулой дело обстоит сложнее. В состав молекулы входят ядра атомов, которые могут совершать колебательные движения относительно друг друга, и, кроме того, молекула может вращаться как целое. Всякое - изменение электронной оболочки влечет за собой возникновение колебаний ядер. [1]
Оптические спектры поглощения многих полупроводников обнаруживают в них энергетические состояния, не связанные с электропроводностью, требующие меньшей энергии возбуждения, чем переход в свободную зону. [2]
![]() |
Схемы некоторых веществ ароматиче-юкого рада. [3] |
Оптический спектр поглощения, в 0 бщем совпадающий со спектром фотопроводимости ( рис. 85), позволяет определить для энергии активации другое значение E ph, обычно превышающее предыдущее. [4]
Оптические спектры поглощения состоят из отдельных линий, совпадающих с линиями излучения главной серии соответствующего элемента, а рентгеновские спектры поглощения не похожи на рентгеновские спектры испускания и состоят из нескольких полос с резким длинноволновым краем. [5]
Оптические спектры поглощения пигмента С в гексане А тах 490 и 521 нм, в хлороформе Ктях 500 и 524 нм также имеют форму, характерную для кетокаротиноидов. Результаты его масс-спектро-метрического анализа представлены в таблице и на рисунке. [6]
Оптические спектры поглощения кристаллов полиаценов наглядно демонстрируют тот факт, что даже в твердом состоянии у них преобладают молекулярные свойства ( см. гл. Поэтому не является неожиданным проявление сходных эффектов и в спектрах фотоэмиссии. Рассмотрим для примера природу перехода электрона из основного состояния в кристалле в свободное состояние вне твердого тела. В неорганических материалах типа Ge электроны из валентной зоны возбуждаются непосредственно в континуум ионизованных состояний. Это так называемые переходы зона - зона. Однако у молекулярных кристаллов типа антрацена, в которых основную роль в оптическом поглощении, а также в образовании валентной зоны и зоны проводимости играют делока-лизованные тг-электроны, ситуация оказывается иной. Несмотря на то что основную роль в определении энергии связи в молекулярных кристаллах как полиаценов, так и инертных газов играют силы Ван-дер - Ваальса, плотность локализованных возбужденных состояний молекулярной природы, изоэнер-гетических с континуумом кристаллических состояний, в кристаллах полиаценов значительно больше из-за преобладания многочисленных вибронных переходов, отсутствующих в моноатомных молекулах. Поэтому конечные высоковозбужденные состояния в кристаллах полиаценов более локализованы по своей природе и автоионизация проявляется в них в значительно большей степени, чем в случае соответствующих состояний у кристаллов инертных газов. Однако, по-видимому, даже в кристаллах антрацена и в ряде других органических кристаллов, для которых обнаружен механизм АИ, переходы типа зона - зона также имеют место, особенно при повышении энергии возбуждения. Поэтому в дальнейшем будут рассмотрены оба типа переходов. [7]
Оптический спектр поглощения локализованного электрона представляется, следовательно, как одна чрезвычайно узкая интенсивная линия. [8]
Оптические спектры поглощения алкильных и гидроксиалкиль-ных радикалов [ например, СН3, С2Н5, - СНгОН, СН ( СНз) ОН и др. ] характеризуются полосами с максимумами при 210 - 220 нм. Для ненасыщенных спиртовых радикалов ( типа СН ( ОН) СН СН2) полосы более интенсивные; максимумы их лежат в области 250 - 280 нм. Ион-радикалы - продукты электролитической диссоциации спиртовых радикалов - поглощают свет в более длинноволновой области, чем исходные радикалы. Спектры Н - и ОН-аддуктов ароматических соединений мало отличаются друг от друга и имеют полосы поглощения с максимумами в интервале 300 - 380 нм. На положение максимума некоторое влияние оказывает природа заместителя [113], причем степень этого влияния коррелирует со степенью влияния заместителя на спектр исходного. Максимумы полос радикалов феноксильного типа ( С6Н50 -, СН3С6Н40 - и др.) находятся в обла-сти 410 - 440 нм. [9]
![]() |
Характеристики оптических спектров поглощения е -, ( е -, М и М. [10] |
Характеристики оптических спектров поглощения М -, измеренные методом импульсного радиолиза, приведены в табл. 4.1. Сравнение их с данными о спектрах es и ( еГ, М) показывает, что для М - характерен значительный сдвиг спектра в коротковолновую область. [11]
Сравнение оптических спектров поглощения таких кристаллов, как Ge и Si, с системой энергетических уровней показывает, что оптические переходы, требующие участия фононов, обладают большой вероятностью. [12]
![]() |
Спектры ЭПР 7 блученных при 77 К алкилбензолов.| Выходы стабилизированных радикалов и молекулярного водорода при облучении при 77 К алкилбензолов. [13] |
Исследование оптических спектров поглощения в Y-облученных растворах ароматических производных олефинов [184] также свидетельствует о преимущественном образовании радикалов бензиль-ного типа. [14]
Сравнение оптических спектров поглощения таких кристаллов, как Ge и Si, с системой энергетических уровней показывает, что оптические переходы, требующие участия фононов, обладают большой вероятностью. [15]