Cтраница 2
Так как оптические спектры поглощения центров в облученных сорбентах имеют ширину - 1 ав, уровень энергии электронов можно рассматривать как набор уровней. Неточности оценок всех величин в пределах 0 5 - 1 эв не должны сказываться на результатах. [16]
По данным оптического спектра поглощения облученного силикагеля уровень электронов в ловушках равен - 3 5 эв. Спектр ЭПР дырочных центров в силикагеле, аналогичный спектру в дымчатом кварце, наблюдается при относительно больших концентрациях примесных атомов алюминия. Однако известно, что при облучении силикагеля его поверхность сильно дегидратируется. Отсюда следует, что энергия излучения в значительной степени расходуется на дегидратацию, а не накапливается с увеличением концентрации захваченных электронов и дырок. В зонной схеме этот эффект отражен в виде поверхностных дырочных уровней, расположенных ближе к дну зоны проводимости, а увеличение вероятности захвата дырок - изгибом зоны. [17]
Связь между оптическими спектрами поглощения и фотоэффекта и шириной запретной зоны часто осложняется правилами отбора. Может оказаться, что оптические переходы с уровней, соответствующих верхней границе заполненной зоны, на нижнюю границу свободной запрещены и что переходы возможны на другую систему уровней, быть может, перекрывающуюся, но не совпадающую с нижней частью свободной зоны. [18]
Связь между оптическими спектрами поглощения и фотоэффекта, с одной стороны, и шириной запретной зоны, с другой, осложняется правилами отбора. Для полупроводника эти правила требуют равенства волнсвого числа k на обоих уровнях, между которыми имеет место переход электронов. [19]
Как известно, оптические спектры поглощения диамагнитных кристаллов состоят из полос поглощения, связанных с оптическими ветвями спектра колебаний кристаллической решетки, и из фундаментальной полосы поглощения, обусловленной межзонными переходами электронов. Частоты колебательных переходов, составляющие 1013 - 1014 сек. Напомним, что в оптике энергию принято измерять в волновых числах, выраженных в обратных сантиметрах. Одному обратному сантиметру соответствуют: энергия hc-i см-12 - 10 - 16 эрг 1.2 - 10 - 4 эв, температура ( hc / k) X Xl см - 11.4 К и частота с-1 см-13 - 1010 гц. [20]
С таким выводом согласуются оптические спектры поглощения. [21]
Спектр парамагнитного резонанса и оптический спектр поглощения иона Fe2 в кристалле MgO были изучены Лоу и Ве-гером [68] и другими. [22]
Исследования спектров ЭПР и оптических спектров поглощения показали, что в этих условиях смешанный гидроксилсо-держащий комплекс не образуется. Наиболее вероятной - причиной изменения механизма обмена при рН12 5 является резкое увеличение скорости обмена протонов координированных молекул этилендиамина за счет катализа щелочью. [24]
Оказалось, что в оптическом спектре поглощения 2 - Ю 2 М раствора [ Со ( Н20) в ] 3 с добавкой 0 5 М глицина при 215 К наблюдаются только две полосы с максимумами около 400 нм ( Ige 1 7) и 606 нм ( Ige 1 6), которые характерны для ионов [ Со ( НгО) в ] 3 [66], что свидетельствует о стабильности таких ионов по отношению к присутствующей аминокислоте. По мере стояния кислых растворов Со ( Ш) с добавками глицина или других а-аминокислот идет комплексообразование, о котором можно судить по изменению цвета раствора от небесно-голубого к сине-зеленому. [25]
![]() |
Спектральное распределение коэффициента поглощения света ( а и схема, иллюстрирующая оптический переход, при котором одновременно рождаются экситон и спиновая волна ( б. [26] |
Экспериментально дополнительные линии в оптических спектрах поглощения, интерпретированные как спин-волновые спутники, впервые обнаружили Г. С. Кринчик и другие [132], изучавшие поглощение света в редкоземельных ферритах-гранатах. [27]
Многие исследователи изучают одновременно и оптические спектры поглощения, и спектры ЭПР. [28]
Недавно стало известно, что оптические спектры поглощения ионов переходных металлов в химических соединениях заметно отличаются от спектров соответствующих свободных газообразных ионов. При образовании химических соединений появляются новые линии поглощения в ближней инфракрасной, видимой и ультрафиолетовой областях. [29]
![]() |
Температурная зависимость электропроводности ( на этом и остальных рисунках номер кривой соответствует номеру состава. [30] |