Способ - диффузия
Cтраница 1
Способ диффузии в открытой трубе заключается в следующем. Пластины полупроводникового материала помещают в высокотемпературную зону диффузионной трубы, диффузант к пластинам переносится потоком газа-носителя. При этом источник примеси может быть твердым, жидким или газообразным. Если источник примеси твердый, то используют двухзонную печь, представляющую собой две термические камеры с независимым нагревом, через которые проходит рабочая кварцевая труба. Источник примеси, например пятиокись фосфора ( Р2О6) или окись бора ( В203), помещенный в низкотемпературную зону, испаряясь, захватывается газом-носителем, и пары примеси переносятся в высокотемпературную зону диффузии, где находятся пластины полупроводника. Если источник примеси жидкий или газообразный, то применяют одно-зонные диффузионные печи, что обеспечивает лучшую воспроизводимость параметров диффузии. В качестве жидких источников применяют хлороокись фосфора ( РОС13), трехбромистый бор ( ВВг3), а в качестве газообразных - диборан ( В2Нв), треххлори-стый бор ( ВС13), фосфин ( РН3), арсин ( AsH3) и др. По бокс-методу диффузии пластины и источник примеси помещают в бокс, представляющий собой квазигерметичную кварцевую ампулу. Герметизацию ампулы производят с помощью платиновой прокладки и кварцевой крышки. Нагрев бокса осуществляют в однозонной печи в потоке инертного газа. [1]
 |
Векторная диаграмма токов ( а и эквивалентная схема транзистора с общим эмиттером ( б на высоких частотах. [2] |
Способом диффузии изготовляются так называемые дрейфовые транзисторы, в базе которых примеси распределены неравномерно. При этом в базе создается электрическое поле - носители заряда перемещаются не только за счет диффузии, но также за счет дрейфа - перемещения в этом поле, и скорость пролета базы зарядами возрастает. В поверхностно-барьерных транзисторах электронно-дырочные переходы ( потенциальные барьеры) создаются вблизи поверхности, в лунках, вытравленных по обе стороны тонкой пластинки германия. При этом толщина базы получается порядка 2 5 - 5 мк, а граничная частота /, составляет 70 - 100 Мгц. [3]
Кшрой затем способом диффузии получают эмиттерную область. [4]
 |
Корпуса интегральных схем. О а - плоский. 6 - круглый.| Детали круглого корпуса с десятью выводами и. [5] |
Транзистор формируют способом диффузии. [6]
В полученном тонком эпитаксиальном слое изготовляется транзистор способом диффузии. Планарно-эпитаксиальный транзистор имеет сопротивление насыщения коллектора в 4 - 8 раз меньшее, чем обычный пленарный транзистор. [7]
Для защиты поверхности полимера применяют также описанный выше способ диффузии из раствора или дисперсии. [8]
 |
Изготовление биполярных транзисторов методом планарно-диффузионной технологии.| Изготовление биполярной транзисторной структуры с помощью эпи-таксиально-планарной технологии. [9] |
Изготовление р-п переходов и элементов интегральных твердых схем способом диффузии имеет определенный недостаток: р-п переход не имеет четкой границы. Это объясняется тем, что диффузия идет с поверхности материала. В связи с этим примесь в исходном материале распределяется неоднородно: на поверхности атомов примеси больше, а в глубине меньше. Нечеткость р-п переходов существенно влияет на качество и свойства компонентов схемы. [10]
При изготовлении диффузионных транзисторов примеси вводятся в пластинку германия способом диффузии, например из газовой среды. За счет этого базу удается сделать весьма тонкой ( 2 - Злк), а предельную ( граничную) частоту довести до 400 - 600 Мгц. [11]
 |
Изолирующие перегородки в полупроводниковых интегральных схемах. [12] |
Изготовление р - л-переходов и элементов интегральных твердых схем способом диффузии имеет определенный недостаток: р - л-переход не имеет четкой границы. Это объясняется тем, что диффузия идет с поверхности материала. Поэтому распределение примеси в исходном материале неоднородно: на поверхности атомов примеси больше, а в глубине меньше. Нечеткость р - л-переходов существенно влияет на качество и свойства компонентов схемы. [13]
Один из первых методов консервирующей обработки древесины был основан на способе двойной диффузии. Процессы, разработанные в последнее время, сводятся к опрыскиванию древесины сульфатом меди, который затем впитывается в материал. Такая же обработка проводится и с хроматом натрия. В результате внутри древесины образуется хромат меди, который препятствует поражению изделия грибками. [14]
При изготовлении солнечных элементов с таким переходом применен упрощенный метод, так называемый способ диффузии через сплав, в соответствии с которым сначала проводят двустороннюю диффузию пластин p - Si, а затем осуществляют диффузию пленки А1, осажденной термическим испарением в высоком вакууме на тыльную сторону пластины, через тыльный л-слой до формирования р - слоя толщиной 1 мкм. [15]
Страницы: 1 2 3