Способ - диффузия
Cтраница 2
 |
Схематическое устройство печи для диффузии фосфора из Р2О5 в пластины кремния. [16] |
На рис. 13 - 15 показана установка для формирования р - га-переходов способом диффузии. Газ-носитель ( азот) переносит диф-фузант ( Р2О8) на поверхность кремния, и фосфор диффундирует в кремний. Скорость диффузии зависит от температуры нагрева пластин кремния. Содержание фосфора в газе регулируется подогревателем. [17]
Существуют два способа перемещения газообразной фазы в химических транспортных реакциях: способ потока и способ диффузии или конвекции. Для реакций, протекающих со значительной скоростью и с достаточно полным выделением транспортируемого вещества, широко используют метод потока. В других случаях отдают предпочтение способу диффузии или конвекции, осуществляемому в ампулах. Транспортер может быть газом или веществом, которое только при определенной температуре переходит в состояние пара. Для получения чистых материалов должны жестко соблюдаться условия необходимой чистоты реакционного пространства, контейнера, используемых газов, так как загрязнения могут легко внедряться в образующуюся твердую фазу. Газ-носитель перед использованием подвергают специальной очистке. [18]
Известны два способа перемещения газообразной фазы в химических транспортных реакциях: способ потока и способ диффузии или конвекции. В остальных случаях отдают предпочтение способу диффузии или конискции, осуществляемому в ампулах. [19]
 |
Схема колонного многосекционного экстрактора с газлифтным перемещением фаз. [20] |
Изучение механизма извлечения начинается с характеристики частиц обрабатываемого материала, их гранулометрического анализа, оценки структуры с целью определения способа диффузии целевого компонента. [21]
Для извлечения гелия из природного газа, содержащего малые количества гелия ( 0 1 %), в США разработан способ диффузии газа через кварцевые капилляры при высоком давлении и температуре 400 С. [22]
 |
Диффузионный резистор. [23] |
В полупроводниковых интегральных схемах в качестве конденсаторов используют барьерную емкость р-п перехода, который формируется в островках кремниевой пластины одновременно с формированием транзисторов интегральной схемы способом диффузии; р-п переход включается в обратном направлении. [24]
 |
Диффузионный резистор.| Конденсатор с барьерной емкостью р - я-перехода. [25] |
В полупроводниковых интегральных схемах в качестве конденсаторов используют барьерную емкость р - п-перехода, который формируется в островках кремниевой пластины одновременно с формированием транзисторов интегральной схемы способом диффузии; р - - переход включается в обратном направлении. [26]
Изучение механизма извлечения следует начинать с характеристики частиц обрабатываемого материала, включая определения их размеров, характера распределения частиц по размерам и, наконец, оценки их структуры с целью определения способа диффузии целевого компонента. [27]
Известны два способа перемещения газообразной фазы в химических транспортных реакциях: способ потока и способ диффузии или конвекции. В остальных случаях отдают предпочтение способу диффузии или конискции, осуществляемому в ампулах. [28]
Силициды вольфрама, ниобия и молибдена ( WSJ2, NbSi2, MoSi2), могут входить составной частью в защитные многослойные покрытия металлов. В качестве покрытия молибдена широко используется диси-лицид молибдена, который может быть нанесен на металл способом диффузии элементарного кремния из паровой фазы при высокой температуре. При нагреве в окислительной среде дисилицид молибдена окисляется. [29]
В чистом полупроводнике количество пар дырка-электрон одинаково, поэтому проводимость его мала. Для создания проводимости одного типа, свойственной активному сопротивлению, в полупроводнике р-типа ( для данного случая) способом диффузии формируют канал n - типа. При повторной диффузии в n - области формируют затвор, а затем напыляют электроды. [30]
Страницы: 1 2 3