Способ - получение - кристалл
Cтраница 1
Способ получения кристаллов гемина по Тейхману до настоящего времени считается основным в судебно-медицинских определениях следов крови. [1]
Известны три способа получения кристаллов из газовой фазы: путем сублимации данного вещества, методом химических реакций в газе и химических транспортных реакций. Рассмотрим все эти способы и остановимся на проблемах легирования. [2]
Таким образом, способ получения кристаллов тройных соединений из раствора в расплаве является весьма перспективным, но, к сожалению, пока мало изученным. Это обстоятельство связано, по всей вероятности, с большой трудоемкостью изучения диаграмм состояния сложных систем, знание которых при выращивании кристаллов из растворов в расплаве необходимо. [3]
Имеющиеся в литературе сведения о способе получения необходимых кристаллов, безусловно, полезны. Однако в большинстве случаев описание получения кристаллов, как правило, бывает кратким, по нему зачастую трудно воспроизвести данный способ выращивания. Иногда описанный в литературе способ по тем или иным причинам нельзя использовать. Наконец, нередко сведения о получении нужных кристаллов не удается разыскать. Поэтому приходится заново разрабатывать метод выращивания, в связи с чем нужно ознакомиться со свойствами вещества, существенными для выбора наиболее удобного метода и условий выращивания кристаллов. Наиболее важными являются следующие сведения. [4]
 |
Эскиз тигля для вы-ращивания кристаллов SiC.| Схема получения кристалла SiC способом плавающей зоны. [5] |
Следует однако отметить, что этот способ получения кристаллов SiC по скорости роста значительно уступает другим методам выращивания кристаллов. [6]
Опубликован способ получения кристаллов германия для полупроводниковых выпрямителей сплавлением определенного количества Gee другими элементами ( Sn, Sb, Bi, Cd, Zn, Al, Au, Ag), хорошо смешивающимися с германием в жидком и не смешивающимися в твердом состоянии. Металлы в данном случае являются очищающими агентами для германия, связывающими примеси в момент плавления. [7]
 |
Способы кристаллизации. [8] |
Скорость роста и совершенство кристалла в первую очередь определяется соотношением между составом среды и составом кристалла. Поэтому первым шагом в классифицировании способов получения кристаллов будет выделение способов получения кристаллов из чистых сред и способов получения из растворов, параллельно с разбиением методов на основании различий сред по их агрегатному состоянию. Движение атомов и молекул, характер взаимодействия между частицами ( постоянный, временный), порядок в расположении их различаются для разных агрегатных состояний. [9]
 |
Эскиз тигля для выращивания кристаллов SiC из раствора Si - С.| Схема получения кристалла SiC способом плавающей зоны. [10] |
Этот способ может быть использован для получения легированных кристаллов с контролируемой концентрацией примесей, а также для выращивания р - / г-переходов в процессе роста кристалла. Следует однако отметить, что этот способ получения кристаллов SiC по скорости роста значительно уступает другим методам выращивания кристаллов. [11]
В первую очередь следует попытаться найти сведения о выращивании нужных кристаллов в литературе. Наиболее полной и недавней по времени сводкой по способам получения кристаллов является книга К. Краткое описание неорганических кристаллов и способов их получения со ссылками на оригинальные работы имеется в химических. Указания на то, как были получены кристаллы, обычно приводятся и в работах по исследованию структур. Во всех этих изданиях имеются ссылки на оригинальные работы. [12]
Скорость роста и совершенство кристалла в первую очередь определяется соотношением между составом среды и составом кристалла. Поэтому первым шагом в классифицировании способов получения кристаллов будет выделение способов получения кристаллов из чистых сред и способов получения из растворов, параллельно с разбиением методов на основании различий сред по их агрегатному состоянию. Движение атомов и молекул, характер взаимодействия между частицами ( постоянный, временный), порядок в расположении их различаются для разных агрегатных состояний. [13]
Представим себе, что на поверхность кристалла хаотически поступает большое число частиц, из которых построен кристалл, одновременно или поодиночке. Если нет механизма, распределяющего частицы по впадинам поверхности кристалла, или этот механизм работает малоэффективно ( например, при сильном переохлаждении системы), то вероятность образования упорядоченной структуры при хаотическом поступлении частиц жидкости или пара ничтожно мала, и этот способ получения кристалла следует считать исключенным. [14]
 |
Зависимость отношения концентрации активатора в кристалле к исходной концентрации его в расплаве от закристаллизовавшейся доли расплава при / ( 0 25.| Схема осуществления зонной плавки. [15] |
Страницы: 1 2