Адсорбционная способность - поверхность
Cтраница 1
Адсорбционная способность поверхности и в то же время реакционная способность адсорбированных частиц зависит, как показывается, от относительного содержания на поверхности прочной и слабой форм хемосорбции, что в свою очередь определяется ( при прочих равных условиях) концентрацией электронного и дырочного газа на поверхности кристалла. Показывается, что изменение этой концентрации, происходящее под влиянием освещения, приводит к изменению относительного содержания прочной формы хемосорбции и тем самым к изменению адсорбционной способности и каталитической активности полупроводника. Иначе говоря, действие света сводится в конечном счете к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. [1]
Адсорбционная способность поверхности характеризуется концентрацией центров адсорбции и энергией связи адсорбированных частиц с центрами адсорбции. Некоторые частицы удерживаются на поверхности силами электростатического притяжения. Сюда относятся силы Ван-дер - Ваальса, силы электростатической поляризации, силы электрического изображения. Такую адсорбцию называют физической. Другие частицы обмениваются электронами или дырками с поверхностными атомами полупроводника, приобретая при этом положительный или отрицательный заряд. Обменную адсорбцию называют химической или хемосорб-цией. Хемосорбция обеспечивает химическое соединение адсорбированной частицы с твердым телом. Образующиеся химические связи, как правило, ковалентные или частично ионные. [2]
Понижение адсорбционной способности поверхности угля, вызванное предварительным освещением длинноволновым ультрафиолетовым светом через стекло в присутствии воздуха, можно было бы объяснить фотохимическим окислением наиболее активных групп углеродного скелета, содержащего несомненно остатки ароматических полициклов. Однако такое окисление должно было создать на поверхности угля карбонильные и фенольные группы, способствующие, наоборот, адсорбции. [3]
Мы видим, что адсорбционная способность поверхности, при прочих равных условиях, определяется положением уровня Ферми. Уровень Ферми выступает, таким образом, как регулятор не только каталитической активности, но и адсорбционной способности поверхности полупроводника. [4]
Влияни е освещения на адсорбционную способность поверхности наблюдалось рядом авторов и было подробно исследовано на ряде адсорбентов, для различных адсорбтивов и в разных интервалах частот. Изменение адсорбционной способности поверхности обычно обнаруживалось по изменению давления в адсорбционном объеме, наблюдающемуся при включении и выключении освещения. До сих пор остается экспериментально невыясненным, чем определяется появление того или иного и з этих двух противоположных эффектов. Решение этого вопроса является предметом дальнейших исследований. [5]
В результате удалось показать, что адсорбционная способность поверхности определяется ( при прочих равных условиях) концентрацией электронного и дырочного газа на поверхности кристалла. От этой концентрации зависит в то же время относительное содержание на поверхности слабой и прочной форм хемосорбции и тем самым реакционная способность хемосорбированных частиц. Показано, каким образом изменение этой концентрации, происходящее под влиянием освещения, приводит к изменению содержания прочной формы хемосорбции при неизменном содержании слабой формы, которое однозначно фиксируется заданным давлением. Таким путем освещение приводит к изменению относительного содержания на поверхности различных форм хемосорбции и тем самым к изменению адсорбционной способности и вместе с тем каталитической активности поверхности. В конечном счете действие света сводится, как показано, к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Вычислено относительное изменение адсорбционной способности, как функции относительного изменения концентраций электронного и дырочного газов на поверхности кристалла. Установлены критерии фотоадсорбции и фотодесорбции. Обсуждены различные возможные механизмы поглощения света в кристалле. [6]
Фотоадсорбционным эффектом мы называем эффект изменения адсорбционной способности поверхности под влиянием освещения. Под адсорбционной способностью поверхности по отношению к молекулам данного сорта обычно понимают число молекул этого сорта, удерживаемых единицей поверхности при заданных давлении и температуре в условиях равновесия с газовой фазой. [7]
Активированными называют угли, которые для увеличения адсорбционной способности поверхности пор в результате обработки освобождаются от смолистых веществ. [9]
В пористых средах диффузия ионов зависит от адсорбционной способности поверхности твердой фазы. Адсорбционную способность пород количественно оценивают приведенной емкостью поглощения q, выражаемой числом миллиграмм-эквивалентов катионов электролита, поглощенных твердой частью единицы объема породы из единицы объема ее порового пространства. [10]
 |
Адсорбция Те12. из н. NaOH. [11] |
Старик и Розовская [54 ] указывают на факт понижения адсорбционной способности поверхности стекла в результате травления ее фтористоводородной кислотой. В табл. 174, 175 приводятся данные, полученные при исследовании адсорбции полония и теллура. [12]
Мы в идим, что величина г ] характеризует адсорбционную способность поверхности. [13]
Благодаря тому что самоостанавливающиеся реакции осаждения в процессах ALD управляются адсорбционной способностью поверхности подложки по отношению к хемосорбирующему реагенту, небольшие вариации ( отклонения) операционных параметров таких как потоки реагентов, давление и температура, не оказывают влияния на технологические характеристики осаждаемых пленок. Поэтому процессам ALD присущи исключительно высокие значения равномерности осаждения пленок по толщине и конформности покрытия топологического рельефа. [15]
Страницы: 1 2 3 4