Излучение - полупроводниковый лазер
Cтраница 1
 |
Спектральные характеристики инфракрасного излучающего диода на основе арсенида галлия при температуре 77 К. [1] |
Излучение полупроводниковых лазеров обладает достаточно малым ( не превышающим нескольких градусов) углом расходимости светового пучка. Но по этому параметру полупроводниковые лазеры значительно уступают газовым и твердотельным диэлектрическим лазерам, что связано с малыми размерами кристалла полупроводника и особенно с малыми размерами активной области, где происходит вынужденная рекомбинация. [2]
Спектр излучения полупроводникового лазера получается очень узким, что следует из самого принципа использования вынужденного излучения. Электромагнитные волны из лазера излучаются узким пучком, который лежит в плоскости электронно-дырочного перехода и перпендикулярен торцам резонатора. Это связано с тем, что кванты, идущие в других направлениях, быстро теряются. [3]
Более поздние результаты были использованы для получения информации о ширине полосы излучения полупроводникового лазера. Для пика излучения была подтверждена предсказанная ранее лоренцева форма и установлена обратная зависимость ширины полосы излучения от мощности лазера. [4]
 |
Спектральная харак - [ IMAGE ] Диаграммы направ-теристика лазера ленности лазера. [5] |
Работа лазера сильно зависит от температуры, изменение которой приводит к сдвигу спектра излучения полупроводникового лазера. [6]
Слабо синусоидально модулируя диодный ток ( глубина модуляции 0 1 %) с частотой в несколько сотен герц, можно модулировать частоту излучения полупроводникового лазера и применять синхронное детектирование. Кроме того, на выходе системы в случае применения такой модуляции будет регистрироваться не само поглощение, а его производная по длине волны. [7]
Схема экспериментальной установки изображена на рис. 5.18. Излучение лазера на гранате с неодимом ( i 1 319 мкм, т1 / 2100 пс) смешивалось в одномодовом волоконном световоде с близким по частоте излучением полупроводникового лазера с целью формирования начальной модуляции интенсивности. [9]
 |
Спектральные характеристики излучающего диода на основе арсенида галлия при температуре 77 К. [10] |
Диаграмма направленности излучения лазера характеризует пространственное распределение интенсивности излучения. Излучение полупроводниковых лазеров обладает достаточно малым ( как правило, не превышающим несколько градусов) углом расходимости светового пучка. Однако из всех типов лазеров ( газовых, твердотельных-диэлектрических) полупроводниковые имеют наибольшие углы расходимости. Большая расходимость луча полупроводникового лазера в значительной мере связана с малыми геометрическими размерами кристалла полупроводника. [11]
Диаграмма направленности излучения лазера характеризует пространственное распределение интенсивности излучения. Излучение полупроводниковых лазеров обладает достаточно малым ( как правило, не превышающим нескольких градусов) углом расходимости светового пучка. [13]
Используя п2в 4 5 - 10 16 см2 / Вт, - 4Э ( М) Ю мкм2, Я, 1 06 мкм, получаем мощность излучения накачки Рр - 1 Вт для 100-метрового световода. В другом эксперименте эффективная площадь сердцевины была уменьшена до 2 мкм2 и в качестве накачки использовалось излучение полупроводникового лазера на 1 3 мкм. Оценка PpL 11 Вт - м, сделанная в этом эксперименте, указывает на то, что мощности накачки - 50 мВт может оказаться достаточно для 100 % - ного пропускания сигнала, если в каждом плече интерферометра Маха Цандера использовать 200-метровые отрезки световода. [14]
Ширина линии излучения лазера является важной величиной. Например, она определяет фундаментальный предел работы активного кольцевого лазерного гироскопа. Первый полностью квантовый вывод выражения для спектральной ширины лазера был сделан методом оператора квантового шума 1) и был настолько общим, что включал в себя даже проблему ширины линии излучения полупроводникового лазера. Этот вывод излагается в гл. [15]
Страницы: 1 2