Излучение - полупроводниковый лазер
Cтраница 2
 |
Спектр излучения диодного. [16] |
Однако такая накачка затруднена в связи с тем, что кристаллы полупроводника имеют большой коэффициент поглощения, который особенно увеличивается с увеличением частоты падающего на кристалл излучения. Если же энергия кванта ( частота возбуждающего излучения) больше, чем ширина запрещенной зоны, то вследствие сильною поглощения таких квантов лазерное излучение будет возникать лишь в узком поверхностном слое полупроводника глубиной в несколько микрон, что снижает мощность излучения полупроводникового лазера. [17]
Из всех типов лазеров инжекционные полупроводниковые квантовые генераторы стоят на последнем месте по мощности генерации как в импульсном, так и в непрерывном режиме работы. Этот серьезный недостаток в некоторых случаях сводит на нет все достоинства инжекционных ПКТ и сдерживает их практическое применение. Поэтому поиски путей повышения мощности излучения полупроводниковых лазеров были и остаются одной из важнейших задач полупроводниковой квантовой электроники. [18]
 |
Диск и считывающее пятио. [19] |
Высокая плотность записи информации достигается с помощью оптических средств, которые представляют собой оптический сканирующий микроскоп со средним увеличением. Предел плотности записи обусловлен дифракцией света, которая определяет минимальный диаметр пятна в фокальной плоскости размером около A / 2NA, где А - длина волны света, NA - числовая апертура фокусируемого пучка. Это значит, что весь текст данной книги может быть запи. На рис. 1.2 показаны основные оптические элементы считывающей головки. Излучение полупроводникового лазера фокусируется через прозрачную подложку диска на поверхность, несущую информацию, с помощью объектива микроскопного типа. Часть отраженного света, собираемого тем же объективом, направляется на детектор. [20]
Страницы: 1 2