Cтраница 2
Широко распространенное срастание стволов кедрового стланика ( по исследованиям Б. А. Тихомирова) является дополнительной иллюстрацией отсутствия внутривидовой борьбы. [16]
До срастания кристаллов небольшая проводимость имеет место вследствие туннельного эффекта. [17]
Отмечено срастание задач химической кинетики и химической технологии, характерное для современного уровня техники. [18]
![]() |
Срастания кристаллов. [19] |
Плоскость срастания, двойниковая ось и двойниковая плоскость - элементы двойника, они определяют закон двойникования. Не могут быть элементами двойника плоскость симметрии и оси симметрии четного наименования. [20]
![]() |
Вероятность возникновения фазового контакта в зависимости от рН и массовой доли SiO2 ( x растворенного в дисперсной среде. [21] |
Вероятность срастания также есть функция пересыщения. Однако фактор скорости поликонденсации более важен. Следовательно, роль отвердителей сводится не только к поставке в систему ионов, образующих нерастворимые соединения, но и влияющих на рН: снижение рН в системе способствует ускорению поликонденсации и, следовательно, образованию контактов срастания. [22]
Процесс срастания рассматривается далее с учетом проявления кристаллизационного давления. [23]
![]() |
Вероятность возникновения фазоюго. [24] |
Вероятность срастания также есть функция пересыщения. Однако фактор скорости поликонденсации более важен. Следовательно, роль отвердителей сводится не только к поставке в систему ионов, образующих нерастворимые соединения, но и влияющих на рН: снижение рН в системе способствует ускорению поликонденсации и, следовательно, образованию контактов срастания. [25]
Теория срастания ( capture theory) - теория, предполагающая, что объекты регулирования ( а не общество в целом) получают выгоду от регулирования. При этом органы надзора частично срастаются с регулируемым бизнесом. [26]
![]() |
Схема диффузионного спекания. [27] |
Возможность первоначального срастания зависит от интенсивного теплового движения атомов. По мере повышения температуры все большее число атомов на поверхности одной частицы попадает в силовые поля другой, с ней соприкасающейся. [28]
Относительно срастаний кварца и ортоклаза в письменных гранитах см., в частности, В. [29]
![]() |
Влияние условий осаждения на фазовый состав высушенных образцов. [30] |