Срастание

Cтраница 3

Степень срастания образующихся частиц СиО определяется дисперсностью исходного гидроксида меди. [31]

Для полностью ориентированных срастаний щелочных галогенидов [ грани ( 100) ] с напыленными металлическими слоями можно экспериментально определить критические температуры, которые решающим образом зависят от наличия адсорбционных пленок. При расщеплении кристалла на воздухе ориентация первых зародышей сильно нарушается из-за присутствия адсорбированных слоев. Так как кубические грани металлических кристаллов осаждаются параллельно ребрам подложки, можно сформулировать такой закон срастания: ( 100) КИ ( 100) П; [ Ю0 ] к [100] п, где индексы К и П относятся к элементам кристалла подложки ( носителя) и примеси. [32]

При срастании этих агрегатов между ними формируется граница зерен. Следовательно, размер зерен образующейся пленки определяется величиной критических ( и оверхкритичеоких) зародышей. В свою очередь, как подчеркивалось иыше, структура пленки оказывает влияние на ее физические свойства. [33]

В эпитаксических срастаниях индивиды разных веществ контактируют так, что их кристаллические решетки приобретают относительно закономерную ориентировку. Плоские сетки, по которым соприкасаются индивиды в подобных сростках, близки по своей симметрии и размерам. Наглядный пример эпитаксических срастаний представляет собой письменный гранит, содержащий около 70 % ортоклаза и 30 % кварца. [34]

Двойниковые срастания. [35]

В эпитаксических срастаниях индивиды разных веществ контактируют так, что их кристаллические решетки приобретают относительно закономерную ориентировку. Плоские сетки, по которым соприкасаются индивиды в эпитаксических сростках, близки по своей симметрии и размерам. Характерный пример эпитак - - сических срастаний представляет собой письменный гранит, содержащий около 70 % ортоклаза и 30 % кварца. [36]

Винтовая дислокация. [37]

При срастании ветвей дендрита крайне невероятно, чтобы они соединились абсолютно точно. Ветви дендрита искривлены каждая по-своему, и, срастаясь, они дают дислокации или более грубые нарушения. [38]

Второй подразумевает срастание кристаллов в единую массу и по механизму относится не к взаимодействию коллоидных частиц, а к образованию первичных коллоидных частиц малого или гигантского ( в случае сплошного монолита) размера. [39]

Соединение или срастание ветвей как одного, так и разных растений происходит и у тех багрянок, которым несвойственно образование усиков. Оно обеспечивается развитием ризоидов, которые растут навстречу друг другу от обеих вступающих в соприкосновение поверхностей. [40]

Двопиикование и срастание кристаллов происходит но плоскостям II. [41]

Рутил, анатаз, брукит. [42]

Сагенитом называется срастание тонкоигольчатых индивидов по 011, обусловливающее сложносетчатое строение двойникового агрегата. Двойники по 031 - сердцевидные ( 3) встречаются значительно реже. [43]

Ориентированная кристаллизация пентахлорфено-ла на ( 001 пеинина. Х230. [44]

Обнаружено также ориентированное срастание парафинов ( слабые межмолекулярные связи) с галоидными солями, обладающими ионной решеткой, и органических веществ с полярными молекулами и неполярной серой, R последнее время обнаружено большое количество ориентированных нарастаний наиболее сложных органических веществ на минералах и минералов на органических веществах, в том числе эпитаксия аминокислот и олигопептидов. [45]

Страницы: 1 2 3 4