Вклад - возбужденное состояние
Cтраница 1
Вклад возбужденного состояния в релаксационную способность данной моды Q зависит от этих двух факторов и, конечно, от величины энергии возбуждения. [1]
Часто пренебрегают вкладом возбужденных состояний, так как с ростом энергии возбуждения еп соответствующие слагаемые в сумме экспоненциально убывают. [2]
Таким образом, при рассмотрении оптических и термодинамических свойств системы, где протекает реакция фотодимери-зации антрацена, вкладом возбужденных состояний можно пренебречь в силу их ничтожных концентраций. [3]
Это состояние в первом приближении остается нерасщепленным в любом кристаллическом поле; влияние кристаллического поля проявляется лишь в более высоком приближении за счет вклада возбужденных состояний. [4]
При низких температурах электроны занимают лежащее ниже основное состояние Ed, а с ростом температуры они могут распределяться по возбужденным примесным состояниям, что должно отразиться на изменении концентрации свободных носителей в зоне проводимости с повышением температуры, так как возбужденные состояния имеют другие энергии активации и другие значения - фактора. Если учесть вклад возбужденных состояний в температурную зависимость концентрации носителей заряда в области примесной проводимости, величина концентрации свободных носителей несколько уменьшится. [5]
При низких температурах электроны занимают лежащее ниже основное состояние Ed, а с ростом температуры они могут распределяться по возбужденным примесным состояниям, что должно отразиться на изменении концентрации свободных носителей в зоне проводимости с повышением температуры, так как возбужденные состояния имеют другие энергии активации и другие значения g - фактора. Если учесть вклад возбужденных состояний в температурную зависимость концентрации носителей заряда в области примесной проводимости, величина концентрации свободных носителей несколько уменьшится. [6]
При низких температурах электроны занимают лежащее ниже основное состояние Ed, а с ростом температуры они могут распределяться по возбужденным примесным состояниям, что должно отразиться на изменении концентрации свободных носителей в зоне проводимости с повышением температуры, так как возбужденные состояния имеют другие энергии активации и другие значения - фактора. Если учесть вклад возбужденных состояний в температурную зависимость концентрации носителей заряда в области примесной проводимости, величина концентрации свободных носителей несколько уменьшится. [7]
Особенностью квазихимического описания плазмы в условиях сильной неидеальности является условность разделения частиц на свободные и связанные. Поэтому эффект, рассматриваемый как искажение вклада возбужденных состояний, может при ином разделении на сорта трактоваться как проявление квантового характера электрон-ионного взаимодействия на близких расстояниях. Для описания этого взаимодействия в [67, 74] применен псевдопотенциал (5.63), на основе которого с использованием условий локальной электронейтральности (5.65), (5.66) построена полуэмпирическая модель неидеальной плазмы. [9]
Сравнение отчетливо демонстрирует общий сдвиг экспериментальных данных в сравнении с результатами расчета. В данных координатах такой сдвиг может быть воспроизведен, как совместный результирующий эффект отсутствия вклада возбужденных состояний и отсутствия традиционных, притягивательных по своему характеру, кулоновских поправок. [11]
Влияние ковалентности на - фактор ионов в S-состоянии. В двухатомных ковалентных полупроводниках наблюдается большой положительный сдвиг - фактора ионов переходных металлов в 5-состоянии, что нельзя объяснить вкладом возбужденных состояний с угловым моментом в основное возбужденное состояние через спин-орбитальное взаимодействие. Ватанабе [11] показал, что к положительному сдвигу - фактора приводят процессы переноса заряда с лигандов на примесный ион. [12]
В отличие от парамагнитной восприимчивости, диа магнитная не зависит от температуры. Это связано с уже обсуждавшимся фактом больших энергетических зазоров между основным состоянием атома и его возбужденными состояниями ( вклад в среднее значение дает только основное состояние, а вклад возбужденных состояний экспоненциально мал; см. примечание на стр. [13]
Так как поле соседнего иона уменьшает вероятность захвата носителей тока из зоны, наблюдается симметричное подтягивание уровней к краям Eg. В отсутствие вырождения и в том случае, если можно пренебречь вкладом возбужденных состояний, положение локального уровня в запрещенной зоне определяет электронную часть ССЭ адсорбированной частицы. Чем ближе может подойти D к А -, тем сильней энергия адсорбции. Этот вклад в энергию адсорбции должен учитываться независимо от ее изменения, наблюдаемого при сближении уровня Ферми с фиксированным дискретным уровнем. [14]
Страницы: 1 2