Диамагнитный вклад

Cтраница 1

Диамагнитный вклад в X свободных электронов проводимости был оценен из данных этих измерений, относящихся к высокотемпературной области. Оценка тп по данным этой работы приводит к завышенным ( примерно на 25 %) значениям эффективной массьГ электронов в n - Si по сравнению с теми, которые следуют из данных по циклотронному резонансу, тогда как в [2116] таких различий не наблюдалось. [1]

Диамагнитный вклад зависит от силы приложенного поля. [2]

Иллюстрация параметров 0 и R из уравнения ( 8 - 9. [3]

В отношении диамагнитного вклада нужно отметить, что часто х i больше, чем Хц Вследствие этого при связи, перпендикулярной полю, электронная циркуляция меньше, и вклад в Да при такой ориентации меньше, чем при параллельной. В большинстве соединений наибольший вклад в экранирование за счет соседей дает парамагнитная часть. [4]

Такие эффекты называются диамагнитными вкладами. [5]

Видно, что первый член положителен и дает диамагнитный вклад в восприимчивость % ь, что соответствует диамагнетизму Ланжевена. Он дает парамагнитный вклад в восприимчивость ХР соответствующий парамагнетизму ван Флека. Следует отметить, что в кубическом кристалле - ожидаемое значение величины [ ( г - rf -) ХЖ а в два раза больше ожидаемого значения величины ( z - zt) 23 2, найденного для случая, когда ось z является выделенным направлением. [6]

Для атомной составляющей увеличение электронной плотности на соседнем атоме приводит к увеличению диамагнитного вклада и в конечном итоге вызовет увеличение а. Шнейдер показал, что для ряда органических соединений константы экранирования за счет атомной составляющей хорошо коррелируют со значениями электронной плотности на атомах углерода. [7]

Поскольку диамагнетизм в отличие от парамагнетизма характеризуется температурной зависимостью, исследование зависимости магнитных свойств от температуры должно позволить выделить не только диамагнитный вклад, но и парамагнитный. Вполне вероятно, что несколько противоречивые результаты, полученные первыми исследователями в этой области, были обусловлены неожиданной ролью диамагнитного вклада, а в этом случае верное описание комплексообразования с переносом заряда должно было включать наряду со связанными и несвязанными состояниями также и локально возбужденные состояния, что в некоторой степени должно было совместить точки зрения Малликена и Дьюара. [8]

Корреляция химических сдвигов 13С и я-электронных плотностей в ароматических системах ( Ола, Матеску. [9]

Однако заметим, что природа этих двух корреляций различна, так как в случае протонов за нее были ответственны изменения локального диамагнитного вклада. [10]

Если бы имелся парамагнитный вклад, ок был бы представлен линейным относительно Н членом, который опущен в ( 35), где учитывается лишь диамагнитный вклад. [11]

Отметим это обстоятельство, поскольку оно играет существенную роль в ионных кристаллах, но не будем обсуждать его здесь в связи с кристаллами инертных газов. Диамагнитный вклад в восприимчивость кристаллов инертных газов подавляется парамагнитным вкладом Ланжевена ( см. разд. [12]

Диамагнитную восприимчивость можно исключить, измеряя температурную зависимость молярной восприимчивости. Однако, поскольку диамагнитный вклад составляет только приблизительно одну десятую полной восприимчивости, более принято не использовать данные о температурной зависимости, а вводить поправку на диамагнетизм по методу, обсуждаемому в разд. [13]

Парамагнетизм молекул чаще всего объясняется только наличием единственной незаполненной электронной оболочки или. Остальная часть молекулы, которая может быть относительно очень большой, может давать соответственно большой диамагнитный вклад в действующую силу. Кроме того, в многокомпонентных системах могут присутствовать и полностью диамагнитные молекулы. В этом случае парамагнетизм может оказаться полностью завуалированным, и система в целом будет выталкиваться из магнитного поля. [14]

Для протонов парамагнитный вклад в атомное экранирование Од не играет, как правило, существенной роли. Поэтому следует ожидать, что увеличение электронной плотности на соседнем атоме, приводящее к увеличению диамагнитного вклада а, вызовет увеличение константы экранирования ОА в целом. [15]

Страницы: 1 2