Применяемое излучение

Cтраница 4

Поскольку А8М прямо пропорциональна давлению, то при данном давлении изменение выхода метилциклобутана в зависимости от природы источника метилена и длины волны излучения, вызывающего фотолиз, должно быть обусловлено соответствующим изменением &10. С другой стороны, поскольку kw зависит только от общего содержания энергии у метилциклобутана, то очевидно, что содержание энергии у метилена изменяется в зависимости как от природы его источника, так и от длины волны применяемого излучения. [46]

Кроме того, рефлексы с большими h, k, I ( малые углы отражения 9), для которых экстинкция была бы значительна, можно скорректировать в дальнейших вычислениях. Коэффициент поглощения можно относительно легко определить, если исследуемому кристаллу придать форму маленького шарика или цилиндра. Если применяемое излучение обладает достаточной проникающей способностью ( например, излучение МоТСа), а размеры кристалла достаточно малы ( порядка 0 1 мм), то коэффициент А можно вообще не учитывать. Фактор Lp - это простая тригонометрическая функция [14, 29] и его определение не представляет особых трудностей. [47]

Такие плоскости играют роль штрихов дифракционной решетки; расстояния между ними близки к длинам волн рентгеновских лучей, поэтому последние, отражаясь от параллельных плоскостей, интерферируют друг с другом. При определенных углах падения пучка лучей на грань кристалла наблюдается усиление отраженного луча, которое регистрируется на фотопленке - получается рентгенограмма данного кристалла. Расшифровка ее, при известной длине волны применяемого излучения, приводит к определению расстоянии между соседними плоскостями или, что то же самое, между соседними атомами ( ионами) в кристалле данного вещества. [48]

Авторы детально анализируют полученные ими данные в свете современной теории образования скрытого изображения, согласно которой светочувствительные центры представляют собой ловушки для электронов проводимости, где впоследствии локализуются положительно заряженные ионы. Эффективность их использования при экспозиции зависит от природы, интенсивности и продолжительности применяемого излучения. Например, тот известный факт, что короткие экспозиции высокой интенсивности ( альфа-частицы, рентгеновские лучи) менее эффективны, чем длительные средней интенсивности ( видимый свет), объяснялся следующим образом. Во время экспозиции высокой интенсивности в зерне образуется сравнительно плотное электронное облако и заполняются многие ( даже мелкие) ловушки. [49]

Пространственные изомеры цис-транс-типа могут превращаться один в другой при облучении их растворов ультрафиолетовым излучением. Природа соответствующих процессов не вполне ясна. В действительности, изомеризация может, вероятно, происходить по одному из этих путей в зависимости от длины волны применяемого излучения. [50]

Бруски, вырезанные из кристаллов каменной соли. [51]

Это отражение происходит от плоскостей, образованных частицами, составляющими кристаллическую решетку данного вещества. Такие плоскости играют роль штрихов дифракционной решетки; расстояния между ними близки к длинам волн рентгеновских лучей, поэтому последние, отражаясь от параллельных плоскостей, интерфери-фуют друг с другом. При определенных углах падения пучка лучей на грань кристалла наблюдается усиление отраженного луча, которое регистрируется на фотопленке - получается рентгенограмма данного кристалла. Расшифровка ее, при известной длине волны применяемого излучения, приводит к определению расстояний между соседними плоскостями или, что то же самое, между сосед - ними атомами ( ионами) в кристалле данного вещества. [52]

Бруски, вырезанные из кристаллов каменной соли. [53]

Это отражение происходит от плоскостей, образованных частицами, составляющими кристаллическую решетку данного вещества. Такие плоскости играют роль штрихов дифракционной решетки; расстояния между ними близки к длинам волн рентгеновских лучей, поэтому последние, отражаясь от параллельных плоскостей, интерферируют друг с другом. Расшифровка ее, при известной длине волны применяемого излучения, привздит к определению расстояний между соседними плоскостями или, что то же самое, между соседними атомами ( ионами) в кристалле данного вещества. [54]

Бруски, вырезанные из кристаллов каменной соли. [55]

Это отражение происходит от плоскостей, образованных частицами, составляющими кристаллическую решетку данного вещества. Такие плоскости играют роль штрихов дифракционной решетки; расстояния между ними близки к длинам волн рентгеновских лучей, поэтому последние, отражаясь от параллельных плоскостей, интерферируют друг с другом. При определенных углах падения пучка лучей на грань кристалла наблюдается усиление отраженного луча, которое регистрируется на фотопленке - получается рентгенограмма данного кристалла. Расшифровка ее, при известной длине волны применяемого излучения, приводит к определению расстояний между соседними плоскостями или, что то же самое, между соседними атомами ( ионами) в кристалле данного вещества. [56]

Это отражение происходит от плоскостей, образованных частицами, составляющими кристаллическую решетку данного вещества. Такие плоскости играют роль штрихов дифракционной решетки; расстояния между ними близки к длинам волн рентгеновских лучей, поэтому последние, отражаясь от параллельных плоскостей, интерферируют друг с другом. При определенных углах падения пучка лучей па грань кристалла наблюдается усиление отраженного луча, которое регистрируется па фотопленке - получается рентгенограмма данного кристалла. Расшифровка ее, при известной длине волны применяемого излучения, приводит к определению расстояний между соседними плоскостями или, что то же самое, между соседними атомами ( попами) в кристалле данного вещества. [57]

Сцинтилляционные монокристаллы по сравнению с флуороско-пическими экранами обладают более высокой разрешающей способностью. Если для флуороскопических экранов она не превышает 3 линий / мм, то для монокристаллов она равна 5 0 - 12 5 линий / мм. Разрешающая способность отечественных рентгеновских пленок составляет 68 - 178 линий / мм. Известно, что чувствительность радиоскопии кроме разрешающей способности зависит также от энергии и интенсивности применяемого излучения, эффективности регистрации его преобразователем, толщины и плотности материала контролируемого изделия и спектрального состава свечения экрана, и что изменение одного из этих факторов влияет на остальные. Однако разрешающая способность является одним из основных факторов, влияющих на чувствительность метода. [58]

Однако при сопоставлении относительных интенсивностеи линий в обоих случаях можно заметить разницу: 2-я и 3-я, 8-я и 9 - я линии UU2 примерно равной интенсивности, в то время как у JdP 2-я и 8-я линии значительно слабее 3 - й и 9 - й, у C Q Fo и Si значительно различаются интенсивности первых двух линий. Определение параметров решетки ( с точностью хотя бы до 0 002 А) также дает однозначный ответ на вопрос о том, какое вещество исследуется в данном случае. Расхождения в значениях интенсивностеи у разных авторов могут быть вызваны разными условиями съемки. В отличие от различий, обусловленных разницей в расположении атомов в ячейке, они более или менее плавно зависят от угла отражения и длины волны применяемого излучения. [59]

Длина волны рентгеновского излучения близка межатомным расстояниям в кристаллах. Поэтому кристаллы являются для рентгеновских лучей трехмерными дифракционными решетками. Действительно, при пропускании сквозь кристалл рентгеновских лучей возникает дифракционная картина ( рентгенограмма), которая может быть выявлена на соответственно помещенном экране или фотопленке. Получение и расшифровка рентгенограмм и являются содержанием рентгенографии. В зависимости от задач, подлежащих решению, может быть применен один из трех методов рентгенографии, различающихся характером объекта или применяемого излучения и способом выявления дифракционных картин. [60]

Страницы: 1 2 3 4