Рассеянное излучение

Cтраница 2

Рассеянное излучение обычно собирается конденсором и направляется в щель монохроматора под углом 90 к падающему на образец лучу, как на рис. ХП. В спектроскопии КР большое значение имеет устранение паразитного рассеянного излучения и флуоресценции образцов. Отчасти проблема решается применением фильтров и двойной или большей монохроматизацией с помощью нескольких, иногда сменных дифракционных решеток. В перспективе значительное увеличение отношения сигнала к шуму может быть достигнуто использованием последней новинки в технике спектроскопии КР - гологра-фических решеток. [16]

Рассеянное излучение просто выходит. [17]

Интенсивное рассеянное излучение может возникнуть при просвечивании в заводских условиях, в цехах при окружении места просвечивания большим количеством металлических изделий. [18]

Особенно сильно рассеянное излучение сказывается в УФ-области, где чувствительность детектора в несколько раз меньше, чем в длинноволновой. [19]

Часть рассеянного излучения улавливается приемной антенной. Поскольку беспорядочное движение воздуха всегда имеет место, то благодаря рассеянному отражению энергии от неодно-родностей можно получить слабый, но устойчивый прием. Практическое осуществление такой радиосвязи требует применения весьма мощных передатчиков и достаточно чувствительных приемников со специальными антенными системами. [20]

Поведение различных скоростей. [21]

Часть рассеянного излучения, когерентная с падающей волной и распространяющаяся в том же направлении, была рассмотрена нами через поляризацию системы осцилляторов. [22]

Интенсивность рассеянного излучения в первую очередь зависит от количества электронов в электронной оболочке и увеличивается по мере повышения порядка симметрии. Тем самым становится возможным локализовать положение отдельных атомов в молекуле. [23]

Электронная схема токового детекторного устройства.| Электронная схема спектрометрического детекторного устройства. [24]

Вклад рассеянного излучения в сигнал зависит от положения ОК относительно источника излучения и детектора. [25]

Поведение различных скоростей. [26]

Часть рассеянного излучения, когерентная с падающей волной и распространяющаяся в том же направлении, была рассмотрена нами через поляризацию системы осцилляторов. [27]

Частота рассеянного излучения равна частоте падающего на атом излучения. [28]

Интенсивность рассеянного излучения измеряется на расстояниях, зо много раз превышающих длину волны рассеянного света, так что рассеянные рентгеновские волны можно считать плоскими. [29]

Интенсивность рассеянного излучения определяется концентрацией рассеивающих центров, их размером и формой. В деформированных и предварительно ориентированных полимерах обнаружено скопление очень мелких дефектов, возникающих под действием механической нагрузки. Эти дефекты имеют форму дисков, ориентированных в поле механических сил перпендикулярно разрушающим усилиям. При однородном растяжении эти микродефекты образуют в полимере систему параллельно расположенных микродисков, каждый из которых располагается перпендикулярно оси растяжения. Анализ зависимостей скорости зарождения микродефектов от уровня растягивающего напряжения, времени и температуры позволил сделать вывод о том [36], что эти дефекты являются зародышем тех дефектов, рост которых приводит к разрыву образца. [30]

Страницы: 1 2 3 4