Одноосная анизотропия

Cтраница 1

Схема расположе - В ЭТОМ СЛУЧае fb легкогО. [1]

Одноосная анизотропия в магнитной пленке достигается путем наложения постоянного магнитного поля в плоскости подложки в процессе напыления магнитной пленки, ее отжига и всех последующих операций обработки магнитной матрицы, связанных с нагревом подложки. [2]

Одноосная анизотропия, конечно, является частным, хотя и часто встречающимся, случаем. В общем случае ( двухосная анизотропия) для описания необходимо рассмотрение двух оптических осей и трех различных показателей преломления. Этот случай здесь не рассматривается. [3]

Наведение одноосной анизотропии с помощью термомагнитной обработки ( отжига в магнитном поле) вещества, в том числе и поликристаллических ферромагнетиков, уже давно используется в технологии получения некоторых ферромагнитных материалов, например, сплавов типа пермаллоя ( Fe - Ni), которые благодаря этому приобретают анизотропные магнитные свойства. В ферритах это явление впервые обнаружили Като и Такеи [140] г исследуя CoFe-ферриты состава Сох. Практическое применение такого технологического процесса, по крайней мере на первых порах, полностью опиралось на опыт и лишь позднее получило теоретическое обоснование в работах Нееля [65], Танигучи [141, 142], Слончевского [91] и других исследователей. [4]

Наблюдаемую высокую одноосную анизотропию, не свойственную магнитокристаллической анизотропии кубической симметрии, они правильно связали с образованием цепочечных агрегаций частиц в образцах. [5]

Некоторые параметры одноосной анизотропии наиболее легко интерпретируются в терминах эквивалентного поля. [6]

Материалы с одноосной анизотропией полей рассеяния ( анизотропией формы), причина магнитного гистерезиса в которых обусловлена необратимым вращением вектора намагниченности в однодоменных частицах. [7]

Этим материалам свойственна одноосная анизотропия, обеспечивающая наивысший уровень магнитных свойств вдоль указанной оси. [8]

Другой механизм наведения одноосной анизотропии имеет место при магнитном отжиге. Обнаружено, что если некоторые ферромагнитные материалы подвергнуть высокотемпературному отжигу в присутствии маг-иитного поля, то при последующем охлаждении их до низкой ( обычно комнатной) температуры в них возникает одноосная анизотропия с ЛО, направленной вдоль приложенного поля. Аналогичный результат имеет место при бомбардировке образца ядерными частицами высокой энергии в присутствии внешнего поля. Объяснение этого явления при магнитном отжиге основывается на предположении близкодействующего направленного упорядочения, вызванного перемещениями атомов в процессе отжига, иначе говоря, благодаря магнитному взаимодействию возникает преобладающая ориентация индивидуальных атомов или атомоподобных пар. Это направленное упорядочение замерзает при охлаждении образцов, создавая таким образом одноосную анизотропию. [9]

Зависимость скорости двингения доменной стенки от спешного магнитного поля в.| Зависимость средней скорости доменной стенки от внешнего магнитного поля в пленке. [10]

А - постоянная одноосной анизотропии. [11]

В кристаллах гранатов R3Fe5012 одноосная анизотропия с q 1 получается при эпитаксиальном выращивании пленок гранатов. Анизотропия возникает в процессе роста или за счет упругих напряжений, обусловленных наличием подложки. В таких гранатах намагниченность насыщения составляет 4тгМ0 ( 100 - 200) гс, а диаметр доменов 30 ( 5 - 10) мкм. [12]

Такой результат справедлив для произвольной одноосной анизотропии, характеризуемой эффективной константой К. [13]

Элемент на тонкой магнитной пленке. [14]

Такое свойство пленок называется одноосной анизотропией. Благодаря анизотропии вектор намагниченности пленки при отсутствии внешнего поля ориентируется вдоль оси легкого намагничивания, причем он может быть ориентирован как в ту, так и в другую сторону оси. Оба эти состояния являются устойчивыми, что и используется для хранения и распознавания информации в тонкопленочных элементах. Если приложено внешнее магнитное поле, то оно вызывает поворот вектора намагниченности, который после снятия поля возвращается в одно из ближайших устойчивых положений. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5