Одноосная анизотропия

Cтраница 3

При построении сдвигающих регистров обычно используют магнитные пленки с одноосной анизотропией, чаще всего однодоменные по толщине. В исходном состоянии пленки намагничены в одну сторону по оси легкого намагничивания. Тонкие пленки имеют прямоугольную петлю гистерезиса при приложении внешнего поля вдоль легкой оси намагничивания. При перемагничива-нии полем под углом к оси легкого намагничивания получается линейная петля гистерезиса из-за вращения вектора намагниченности. [31]

Например, если в пленке действуют два различных механизма, создающих одноосные анизотропии с неколлинеар-ными ЛО, то пленка будет обладать одноосной анизотропией, величину я направление которой можно предсказать. [32]

ЦМД могут быть получены во многих магнитных материалах, обладающих сильной одноосной анизотропией. [33]

При термической обработке в продольном магнитном поле в этих сплавах возникает индуцированная одноосная анизотропия, которая создает при намагничивании прямоугольную петлю гистерезиса. Эти сплавы обладают повышенной температурной стабильностью к воздействию радиации. [34]

Так, в некоторых случаях допускалось, что области имеют не одноосную анизотропию, а анизотропию, смешанную с двуосной или анизотропию более высокого порядка. Еще более веское возражение против этой модели вызывает предположение, что отдельные области в пленке не взаимодействуют между собой. Из общих соображений следует, что такие области не могут существовать независимо и фактически связаны обменными и магнито-статическими силами. По этим причинам эту проблему в последнее время пытаются решать микромагнитными методами в которых Mai нитные свойства связываются с измеряемой физической структурой пленки, без каких-либо допущений. Хотя микромагнитная теория пока еще и не может количественно предсказать все аспекты поведения магнитной пленки, однако она более приемлема, чем теория дисперсии анизотропии, так как ее основные предположения находятся в лучшем соответствии с физикой процессов. Одним из основных постулатов микромагнитной теории является предположение, что М не зависит от координаты, перпендикулярной плоскости пленки и искомое распределение М является двумерным, причем ( в статическом случае) из-за размагничивающего поля, обусловленного формой пленки, разд. ЗА, М везде параллельна плоскости пленки. Допускается также, что во всей пленке индуцирована однородная по величине и направлению одноосная анизотропия. Предполагается, что пленка состоит из беспорядочно ориентированных, соприкасающихся кристаллитов; каждый кристаллит, наряду с однородной одноосной анизотропией обладает кристаллографической анизотропией, величина и ориентация которой изменяются от кристаллита к кристаллиту. Именно эга изменяющаяся s пространстве локальная анизотропия вызывает отклонение М от заданного направления, которое называется ркбью намагниченности. Одна ко благодаря обменным и магнитостатическим силам, препятствующим резким изменениям М, направление М внутри каждого кристаллита не определяется простым совместным действием однородной одноосной и кристаллографической анизотропии. Именно в этом пункте микромагнитная теория отличается от теории дисперсии анизотропии. [35]

Логические элементы на основе тонких магнитных пленок ( ТМП) с одноосной анизотропией привлекают внимание простотой выполнения логических операций, высокой плотностью записи информации и потенциальными возможностями массового и дешевого производства. [36]

Зависимость коэффициента магнитоупругой деформации Т dHK / de от состава NiFe-пленок.| Зависимость величины изотропных напряжений в плоскости пленки от температуры подложки. [37]

Наибольший интерес как с теоретической, так и с практической точек зрения представляет магнитная одноосная анизотропия, возникающая в пленке во время ее нанесения в присутствии магнитного поля. [38]

Из выражения (4.18) видно, что магнитоупругая энергия fme в кубическом кристалле обусловливает одноосную анизотропию - магнитоупругую анизотропию - с эффективной константой анизотропии ( 3 / 2) А сг. [39]

Следует заметить, что аксиальный член D в гамильтониане обусловливает в некубических кристаллах одноосную анизотропию. [40]

Единственным типом микроскопической анизотропии в плоскости плен ки, существующим в поликристаллических пленках, является одноосная анизотропия. Однако в специально изготовленных пленках могут быть и другие типы анизотропии. [41]

Доменная структура самарий-диспрозиевого ортоферрита при нулевом внешнем поле и температурах 291 ( а, 312 ( б, 317 ( в, 324 ( г. [42]

Кроме того, смешивание SmFeO3 и DyFeOs орто-ферритов в указанном соотношении приводит к резкому снижению одноосной анизотропии в 5т0 бОуо 4РеОз благодаря тому, что оси легкого намагничивания у исходных компонент при комнатной температуре направлены вдоль осей а и с соответственно. Повышение температуры ведет к дальнейшему снижению анизотропии, что в свою очередь облегчает возможность тепловой разориентации спинов в областях с противоположной намагниченностью. [43]

Соответствующие относительные значения остаточной намагниченности Л / г, Л / 8 составляют в случае одноосной анизотропии 0.5. а в кубическом кристалле 0.831 или 0.806. в зависимости от того, положительна или отрицательна величина К1 ( см. фнг. [44]

Области действия механизмов перемагничивания ферромагнитной пленки с одноосной анизотропией. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5