Магнитный вклад

Cтраница 1

Магнитный вклад в ван-дер-ваальсово взаимодействие атомов и молекул в большинстве случаев весьма мал, и обычно им пренебрегают. Это связано с малостью атомных и молекулярных магнитных поляризуемостей по сравнению с электрическими диполь-дипольными поляризуемостями в существенной области спектра. Для металлических, сверхпроводящих или ферромагнитных частичек магнитная часть ван-дер-ваальсова взаимодействия в принципе может сравниваться с электрической. Так происходит, однако, лишь на больших расстояниях, когда величина взаимодействия становится малой. Помимо спонтанных флуктуации магнитных дипольных моментов, здесь нужно также учесть, что вакуумное электромагнитное поле индуцирует у частичек как электрический, так и магнитный дипольные моменты. Существенно, что при учете запаздывания электрический дипольный момент, скажем, первой системы создает в месте расположения второй системы не только электрическое, но и магнитное поля. [1]

Эффект электрического поля в пиридине и нитробензоле. [2]

Помимо электронных и магнитных вкладов в протонные химические сдвиги для полноты картины нужно рассмотреть еще два эффекта, которые имеют иногда весьма большое значение. Связывающие электроны смещаются либо к атому водорода, либо от него в зависимости от направления связи С - Н по отношению к вектору поля, что приводит соответственно к экранированию или дезэкранированию протона. [3]

Замена атомов железа атомами марганца вызывает уменьшение абсолютной величины магнитного вклада в КТР и при концентрациях х0 2 меняется его знак, что связывается с изменением знака самопроизвольной магнитострикции. [4]

Таким образом, при замещении атомов железа атомами кобальта величина магнитного вклада в и увеличивается до х 0 4, а при дальнейшем увеличении х немного уменьшается. Константы самопроизвольной магнитострикции остаются положительными. [5]

Зависимость отношения критических полей пленки Нс и массивного образца Не от отношения толщины пленки d к глубине проникновения Я. [6]

Когда же толщина пленки сравнима или меньше глубины проникновения, уже нельзя пренебрегать магнитным вкладом в свободную энергию сверхпроводящего состояния. [7]

Следует отметить, что для однотипных соединений редкоземельных элементов абсолютная энтропия ( после внесения поправок на магнитный вклад) часто является простой функцией атомного номера редкоземельного элемента. Эта корреляция была использована i [73] для оценки абсолютной энтропии ряда полуторных оксидов LnaO3 с кубической структурой. [8]

Антиферромагнетизм марганца вызывает появление минимума на кривой температурной зависимости коэффициента линейного расширения, что объясняется большим отрицательным значением магнитного вклада в тепловое расширение. [9]

Поскольку при высоких температурах электронный вклад мал, а фононный слабо зависит от состава, можно установить закономерности изменения магнитного вклада при изменении состава соединения. [10]

Выполненный в [186, 191-193] анализ показал, что скачок % на отжиговой и температурной зависимостях восприимчивости при 425 - 450 К скорее всего связан не с изменением восприимчивости меди, а с изменением магнитного вклада от примеси железа, выделяющейся в виде наночастиц в стыках зерен меди. [11]

Магнитная энтропия, зависящая от беспорядочного распределения атомных спинов, составляет обычно небольшую часть общей энтропии металла ( например, для р - Мппри 1000 К 1 38 и 16 7 зе [14]) тем не менее магнитный вклад в AS может быть значительным, если атомный магнитный момент сильно изменяется при образовании сплава. Приведенные на рисунке избыточные парциальные энтропии смешения для системы Ag - Мп показывают, что главную роль в формировании положительных величин AS 130 играет изменение состояния переходного металла. [12]

Мы уже предположили, что суммарный импульс всех пар в сверхпроводнике одинаков, следовательно, мы можем также считать, что скорость всех пар на данном расстоянии от поверхности одинакова. Эго вытекает из того, что напряженность поля и, следовательно, магнитный вклад 2 еА в импульс одинаковы. [13]

В нижней части табл. 9.2 ( после черты) приводятся правила преобразования переменных под действием штрихованных элементов га га. Это необходимо нам для определения магнитных ( точечных) групп. Возможно также рассмотрение структурных магнитных фазовых переходов между ОМС, указанными в табл. 9.1. Для этого надо записать, наряду со СФ (9.3) и МЭ (9.4) вкладами в термодинамический потенциал Ф, также магнитный вклад ( обмен и магнитная анизотропия), электрический и зеемановский вклады. Полное выражение для Ф будет содержать более полусотни слагаемых с независимыми коэффициентами, и ясно, что в настоящее время количественное рассмотрение на этой основе просто нереально. [14]

Теперь рассмотрим свободную энергию на границе. Свободная энергия сверхпроводящей области Fs меняется относительно свободной энергии нормальной области Fn в результате двух обстоятельств. Fn - Fs, так что внутри сверхпроводящей области оба вклада уничтожаются и плотность свободной энергии такая же, как в прилегающей нормальной области. С другой стороны, магнитный вклад в свободную энергию возрастает на расстоянии порядка глубины проникновения А. А, так что оба вклада не обращаются в ноль вблизи границы. [15]

Страницы: 1 2