Относительный вклад

Cтраница 1

Относительные вклады каждой из резонансных структур отражаются d порядках связей С-О. [1]

Зависимость растяжения е от приложенной растягивающей нагрузки L.| Кривая нагрузка - растяжение для материала пределом текучести G и нижним пределом Н. Остальньи ния те же, что и на 1.| Стандартный круглый образец для испытания на растяжение. [2]

Относительный вклад в полную деформацию атомов, совершающих большие перемещения, увеличивается при больших напряжениях и повышенных температурах. Зависимость упругих свойств от структуры и времени при этих условиях становится еще более очевидной. [3]

Эквивалентная цепь для смешанного электронно-ионного проводника, используемого в качестве электролитического элемента. [4]

Относительные вклады электронной и ионной проводимостей ( для О2 -) при высоких температурах для нескольких окисных систем [31, 32] были найдены с помощью полуэлементов, состоящих из окисных образцов и электродов, погруженных в соответствующую атмосферу. [5]

Относительные вклады гетерогенного и гомогенного процессов задаются отношением 1 / 2 з [ А ] [ М ] и, таким образом, зависят от [ А ] и [ М ]; при достаточно высоких общем давлении и концентрации атомов гомогенная рекомбинация преобладает, и наоборот. [6]

Относительный вклад этих путей переноса заряда зависит от типа полимерного покрытия. Для полимеров, имеющих электроактивные места вдоль полимерной цепочки, а также для пленок поли-4 - винилпиридина, который связывает злектроактивные комплексы металла координационно, наиболее характерен перенос заряда путем перескока электронов. При этом значения коэффициентов диффузии электроактивных в полимере ионов мало отличаются от величин коэффициентов диффузии их в водном-растворе. [7]

Относительные вклады этих реакций могут варьировать с изменением условий полимеризации. Изомеризицшш-иой полимеризацией оксазолпдонов-2 и последующим гидролизом получен линейный кристаллич. [8]

Относительный вклад этих двух механизмов в легирование зависит от концентрации и природы легирующих добавок. [9]

Относительный вклад каждого из этих процессов в общее поглощение зависит от энергии излучения и природы среды. Фотоэффект доминирует при низких энергиях, комптоновский эффект при средних энергиях и эффект образования пар - при высоких энергиях фотонов. [10]

Относительные вклады этих реакций могут варьировать с изменением условий полимеризации. Изомеризацион-ной полимеризацией оксазолидонов-2 и последующий гидролизом получен линейный кристаллич. [11]

Относительный вклад компонент AS0 и AS в изображение дефекта зависит от расстояния между дефектом и точкой наблюдения. Если это расстояние невелико, основным будет вклад компоненты AS, так как поле точечного источника с непрерывным угловым распределением на малом расстоянии R ведет себя как R-2. На большом расстоянии основным будет вклад направленной компоненты AS0, поле которой в данном направлении убывает медленнее, чем поле остальных компонент. [12]

Относительный вклад обеих структур определяет возможность свободного вращения вокруг связи М - С: у илидной формы барьер вращения практически отсутствует, в карбеновой структуре вращение заторможено, благодаря чему появляется возможность существования цис-транс-изоыеров. [13]

Относительный вклад в интеграл перекрывания, обусловленный колебательным крылом оптических спектров редкоземельных ионов, в случае малого дефекта резонанса Efi С у, у / С ED ( ED - энергия Дебая) незначителен и составляет величину порядка y / ED. Эффективность рассматриваемого процесса суммирования энергии существенно зависит от миграции возбуждений по кристаллу. [14]

Относительный вклад каждого из отдельных факторов расширения зоны, а следовательно, и характер сочетания соответствующих дисперсий зависит от природы хроматографической системы. [15]

Страницы: 1 2 3 4