Относительный вклад

Cтраница 3

Относительный вклад отщепления и замещения может зависеть и от реагента. Как при отщеплении Е, так и при отщеплении Е2 в стадии, ответственной за образование продукта реакции, от субстрата отщепляется протон. Для этого требуется основание. [31]

Распределение серы между фазами после нагревания. [32]

Относительный вклад десульфирования, ресульфирования и окислительно-восстановительных реакций зависит от природы ионита и содержания в нем остаточной воды и температуры. Так, для образцов катионитов СБС, КУ-1 и КУ-2, обезвоженных при 383 К, предельное содержание серной кислоты, остающейся в смоле при проведении опытов при 373 - 423 К в запаянных ампулах, составляет 0 70; 1 24 и 2 16 моль / кг матрицы. Количество выделившегося дисульфида серы не может служить единственным критерием термостабильности сульфокатионитов при нагревании на воздухе, так как слишком много факторов могут влиять на эту величину. [33]

Содержание ионов С1 - ( ас ] мг-экв. / г.| Изменения обменной емкости Е ( мг-экв. / г анионита АВ-17 в С1 - форме при нагревании на воздухе. [34]

Относительный вклад деградации в про цессе потериЕеог мало изменяется с увеличением длительности нагревания, но уменьшается с ростом температуры. [35]

Относительный вклад членов, входящих в йравую часть уравнения ( 71), в величину ду / дЕ зависит от природы металла, состава раствора и потенциала электрода. В то же время для кадмия и / особенно, платины роль второго члена в правой части уравнения ( 71) оказывается значительной. [36]

Относительный вклад первичной пористости зависит также от способа приготовления цеолита. В опытах с NaX без связующего установлено, что скорость процесса на этом цеолите выше, чем на цеолите обычного типа; она почти не зависит от диаметра гранул и природы газа-носителя. Это свидетельствует о незначительном влиянии сопротивления вторичной пористости и, видимо, объясняется непрерывной структурой цеолитов без связующего, в результате которой в них возможна поверхностная диффузия молекул адсорбата, а также отсутствием блокировки поверхности кристаллов добавками связующего. [37]

Относительный вклад отдельных составляющих потерь разности температур зависит от конструкции и режима работы аппарата. Из показателей режима наибольшее значение имеет давление. Поэтому для аппаратов, работающих под вакуумом, расчет потерь разности температур требует особого внимания. [38]

Относительный вклад параллельных реакций определяется концентрацией соответствующих частиц и константами скоростей элементарных актов. К этому следует добавить, что механизм процесса в значительной степени зависит не только от состава каталитической системы и условий полимеризации, но и от природы мономеров. В случае одной и той же системы при переходе от одного мономера к другому механизм полимеризации может изменяться. Виниловые эфиры в присутствии систем, инициирующих радикальную полимеризацию метилметак-рилата или стирола, могут полимеризоваться по катион-ному механизму. Обрисованная в общих чертах весьма сложная картина полимеризации гетероатомсодержащих мономеров на комплексных катализаторах еще более осложняется в процессах сополимеризации. Высокая индивидуальность и специфичность конкретных систем катализатор-пара мономеров ( по крайней мере один из которых-гетероатом-содержащий), а также отсутствие систематических исследований в этой области пока еще не позволяют сформулировать общие выводы о закономерностях такой сополимеризации. Поэтому рассмотрим вкратце сополиме-ризацию различных пар сомономеров. [40]

Относительный вклад перечисленных факторов в воспроизводимость фотометрических измерений определяется конкретными объектами, условиями анализа и типом спектрофотометра или фотоколориметра. [41]

Относительный вклад перечисленных факторов зависит от спектра поглощения анализируемого вещества, особенностей прибора и условий анализа. Очевидно, что при последовательных измерениях одного объекта, не связанных с перестановкой кювет, включением и выключением прибора, погрешность результатов можно оценивать величиной scx. В остальных случаях следует использовать sBOcnp или величину с. [42]

Относительный вклад любого электроприемника в суммарную нагрузку с увеличением п уменьшается. Это дает возможность использовать среднестатистические значения показателей режима, а следовательно, применять формулы (2.40) и (2.41) для электроприемников с различными режимами работы. [43]

Относительный вклад теплопроводности свободных электронов и дырок в общую теплопроводность полупроводниковых кристаллов довольно мал. Рассмотрим два почти предельных случая. [45]

Страницы: 1 2 3 4