Более длинноволновое излучение

Cтраница 1

Более длинноволновое излучение не поглощается в полупроводнике и, следовательно, бесполезно с точки зрения фотоэлектрического. [1]

Поглощение более длинноволнового излучения связано с непрямыми переходами типа В. Длинноволновая граница непрямых переходов представляет собой истинный край кривой собственного поглощения, однако энергетические соотношения осложняются здесь тем, что переходы типа Б, в отличие от переходов типа А, происходят без сохранения импульса у электрона. Закон сохранения импульса кристалла приводит к требованию обмена импульсами между электроном и решеткой, в результате чего должны испускаться или поглощаться один или большее число фононов. По этой причине ниже будет рассмотрен лишь случай однофононных переходов. [2]

Зависимость коэффициента пропускания фтористого лития от длины волны. / - кривая для свежего кристалла, 2 - кривая для того же кристалла после пребывания его в течение 97 дней на воздухе. [3]

А; более длинноволновое излучение оптических свойств фтористого лития е меняет. [4]

При использовании более длинноволнового излучения ( емкостные датчики и куметры коротковолнового радиодиапазона) волна в силу дифракции беспрепятственно огибает как неоднородности состава здорового материала, так и малые дефекты. Таким образом обнаруживается только большое число дефектов, меняющих общую диэлектрическую проницаемость материала. Вблизи необнаруженных малых дефектов ( особенно при циклическом нагружении) образуются зародыши разрушения, имею-шие тенденцию к росту при температурных изменениях, под действием нагрузок или в процессе старения материала. [5]

Повышение контрастности и чувствительности требует применения при просвечивании возможно более длинноволнового излучения. Это видно из следующего. [6]

Свет, наблюдаемый вдоль направления падающего пучка, обогащается более длинноволновым излучением. В направлениях, составляющих заметные утлы с указанным направлением, рассеянный свет оказывается более коротковолновым. [7]

А хрусталик обнаруживает заметную флуоресценцию и вызывает зрительное ощущение, подобное ощущению от более длинноволнового излучения. [8]

Пропускание кристаллов сульфида кадмия ( а и аморфного селена ( б.| Коэффициент поглощения селенида кадмия для обыкновенного ( J и необыкновенного ( 2 лучей. [9]

Полупроводник непрозрачен для излучения с длиной волны, меньшей А, и прозрачен для более длинноволнового излучения. Положение края поглощения определяется зонной структурой полупроводника и соответствует энергии перехода из валентной зоны в зону проводимости. Естественно, что заполнение уровней валентной зоны определяется температурой, поэтому положение края поглощения также сильно от нее зависит. [10]

В присутствии фотосенсибилизаторов, например ацетона, такой распад может происходить и под действием более длинноволнового излучения. [11]

Специально проведенные исследования смешанных монокристаллов позволили установить наличие миграции энергии возбуждения к люминофору с более длинноволновым излучением [15], например от нафталина к антрацену. [12]

Таким образом, при значительных расстояниях, проходимых пучком ( сотни и тысячи метров) целесообразно пользоваться возможно более длинноволновым излучением. Однако в обычных условиях промышленных устройств, где расстояния измеряются метрами, с одинаковым успехом можно применять любой интервал длин волн. [13]

Фосфин можно присоединить к ненасыщенным соединениям опри облучении ультрафиолетовым излучением с длиной волны короче 2300 А или же более длинноволновым излучением [400] в присутствии фотосенсибилизаторов, например ацетона. Эта реакция аналогична реакции присоединения сероводорода; она, очевидно, может служить основой весьма общего метода синтеза органофосфинов. [14]

Обычное оптическое стекло довольно хорошо пропускает излучение с длиной волны до % 2 мк, но почти полностью поглощает более длинноволновое излучение и, следовательно, неприменимо для работы в спектральных диапазонах 3 - 5 и 8 - 13 мк пропускания атмосферы. [15]

Страницы: 1 2 3 4