Более длинноволновое излучение

Cтраница 3

Для изготовления окон имеется целый ряд материалов, различающихся такими характеристиками, как область прозрачности, твердость, обрабатываемость, стоимость, показатель преломления. Тонкое окно по сравнению с толстым будет пропускать более длинноволновое излучение, давая возможность использовать кюветы в несколько более широкой области длин волн, чем это позволяет делать призма из того же материала. [31]

Описанные методика исследования и аппаратура могут быть использованы для контроля полупроводниковых пластин. При этом реализуются некоторые преимущества по сравнению с использованием более длинноволнового излучения: меньшее влияние дифракционных явлений и возможность использования оптических элементов и фотоприемников для видимого диапазона. [32]

Растворы, содержащие молекулы пигментов только одного типа ( хлорофилл Ь, хлорофилл а, каротиноиды и др.), при низких температурах имеют характерные спектры флуоресценции, соответст-нующие квантовым переходам я-электронов из нижайших син-глетных возбужденных состояний в основное синглетное состояние молекулы. Наряду с этим основным излучением наблюдается слабое, медленно спадающее и более длинноволновое излучение, соответствующее переходам с нижайших триплетных состояний этих молекул в основное синглетное состояние. [33]

Спектральная характеристика термофосфбра.| Кривая термолюминесценции фосфора. [34]

Некоторые фосфоры обладают свойством накоплять энергию излучения. Эта энергия сохраняется длительное время и может быть быстро выделена в виде более длинноволнового излучения при повышении температуры. Под действием излучения с длиной волны короче 1500 А наблюдается зеленая термолюминесценция. На рис. 4.17 дана спектральная характеристика термо-фосфбра. [35]

Гейгеровские счетчики первоначально применялись только для измерения яркостей спектральных линий с длинами волн короче 100 А. В настоящее время область их применения расширена и счетчики используются для регистрации и более длинноволновых излучений. [36]

Спектральное пропускание кристаллов сульфида кадмия.| Спектральное пропускание аморфного селена толщиной 2 06 ( 1 и 5 62 мм ( г.| Коэффициент поглощения. [37]

Для оптических свойств полупроводников наиболее типично существование резкого края поглощения KQ. Полупроводник непрозрачен для излучения с длиной волны, меньшей Я0, и прозрачен для более длинноволнового излучения. Положение края поглощения определяется зонной структурой полупроводника и соответствует энергии перехода из валентной зоны в зону проводимости. Естественно, что заполнение уровней валентной зоны определяется температурой, поэтому положение края поглощения также сильно от нее зависит. [38]

Если кривые потенциальной энергии S и Т пересекаются ( ср. В состоянии Т молекула может оставаться довольно длительное время, а затем она спонтанно испускает более длинноволновое излучение фосфоресценции Р, соответствующее переходу, который в основном состоянии SQ запрещен. Другой путь заключается в том, что молекула, находящаяся в состоянии Т, может вновь поглотить тепловую энергию и перейти а уровень Si, что приведет к испусканию излучения фосфоресценции с такой же дл-иной волны, как и у соответствующего излучения флуоресценции ( F); период послесвечения этой фосфоресценция зависит от температуры в отличие от периода послесвечения длинноволновой фосфоресценции или флуоресценции; этот тип фосфоресценции называется медленной термофлуоресценцией или термолюминесценцией. [39]

Давление р и средняя плотность пс паров ртути в. [40]

Обычно для возбуждения люминофора используется УФ излучение разряда, которое люминофор преобразует с определенными потерями в более длинноволновое излучение, лежащее в УФ или видимой областях спектра ( см. пп. [41]

Отметим принципиальное различие между внешним и внутренним фотоэффектами: при внешнем фотоэффекте электроны вырываются из вещества, а при внутреннем-остаются внутри него. Поскольку для генерации свободных носителей зарядов в полупроводнике нужна меньшая энергия, чем для вырывания электронов из вещества, внутренний фотоэффект можно вызвать более длинноволновым излучением, чем внешний. У некоторых полупроводников внутренний фотоэффект создается инфракрасными лучами, что имеет важное значение для практики. Дополнительная проводимость полупроводника, обусловленная облучением, называется фотопроводимостью. [42]

Наиболее полно корпускулярные свойства света 1гроявляются в эффекте Комптона. Комптон ( 1892 - 1962), исследуя в 1923 г. рассеяние монохроматического рентгеновского излучения веществами с легкими атомами ( парафин, бор), обнаружил, что в составе рассеянного излучения наряду с излучением первоначальной длины волны наблюдается также более длинноволновое излучение. [43]

УФ, рентгеновское и у-излучение. Квант энергии этих излучений достаточен для разрыва межмолекулярных связей и для ионизации атома. Более длинноволновое излучение ( например, СВЧ, миллиметровые или субмиллиметровые волны) относится к неионизирующим излучениям. [44]

Молекула, поглотившая квант излучения, становится энергетически богатой или возбужденной. Поглощение в области длин волн, представляющих интерес для фотохимии, приводит к электронному возбуждению поглощающей молекулы. Поглощение в области более длинноволнового излучения обычно способствует возникновению колебаний или вращений молекулы в пределах основного электронного состояния. Было бы ошибкой предположить, что только электронное возбуждение может вызывать фотохимические превращения, хотя чаще всего именно электронно-возбужденные состояния участвуют в фотохимических процессах. [45]

Страницы: 1 2 3 4