Стимулированное излучение
Cтраница 1
 |
Упрощенная конструкция ПКГ с электронным возбуждением.| Конструкция ПКГ с электронным возбуждением ( вариант с криогенным охлаждением. [1] |
Стимулированное излучение в ПКГ может быть получено, как об этом упоминалось выше, и путем воздействия на полупроводник потока электронов высокой энергии. [2]
Стимулированное излучение лазера на основе кристалла YA10g - Ег3 на волне 1 663 мкм при 300 К было обнаружено Вебером с соавт. В этой связи при определенных концентрациях ионов Ег3 и Но3 в YA103 и рабочей температуры возможность реализации каскадной схемы с промежуточным актом передачи энергии возбуждения не должна вызывать особых сомнений. [3]
Стимулированное излучение ионов Nd3 в YA103 было открыто [10] автором настоящей монографии совместно с X. [4]
Стимулированное излучение лазера, происхождение которого рассмотрено на стр. [5]
Стимулированное излучение среднего ИК диапазона необходимо для решения ряда фундаментальных и прикладных задач. Диапазон длин волн 1 5 - 3 мкм наименее перекрыт кристаллическими лазерами. К настоящему времени эффект стимулированного излучения ( СИ) зарегистрирован более чем для 200 активированных диэлектрических кристаллов. [6]
Хотя стимулированное излучение имеет важное значение для понимания работы лазерных диодов в этой книге мы ограничимся рассмотрением только спонтанного излучения. [7]
Мощность стимулированного излучения, которую можно получить от ГД ОКГ, определяется по существу расходом газа в единицу времени и энергией, запасаемой молекулами углекислого газа и азота при нагревании. [9]
 |
Принцип действия ( а и устройство ( 6 квантового усилителя. [10] |
Приборы стимулированного излучения принято классифицировать по частотам излучаемых квантов. В частности, приборы, работающие на видимых и ультрафиолетовых частотах, называются лазерами, на инфракрасных - и р а з е р а м и, на СВЧ - мазерами. [11]
Вероятность стимулированного излучения, как и вероятность поглощения, пропорциональна полю. Однако из нашего повседневного опыта мы знаем, что лампа может излучать свет при отсутствии внешнего радиационного поля. То же самое должно быть справедливым для возбужденного полупроводника, содержащего электрон-дырочные пары. Излучение, которое возникает без внешнего поля, называется спонтанным излучением. В последнем случае можно рассматривать излучение как индуцированное фотонами с амплитудами нулевой точки. В случае простых гармонических осцилляторов существование такого нулевого движения хорошо известно из квантовой механики и объясняется принципом неопределенности: положение и импульс колеблющейся частицы не могут быть одновременно равны нулю. Член ( 1 - - Л р), описывающий движение нулевой точки, не зависит от Np и приводит к спонтанному излучению, тогда как член, пропорциональный JVp, приводит к стимулированному излучению. Интересно, что впервые соотношение между поглощением, спонтанным излучением и стимулированным излучением было получено Эйнштейном [7.2, 7.3] без привлечения квантовой механики. [12]
Генераторы стимулированного излучения называются лазерами или оптическими квантовыми генераторами. В настоящее время известно несколько типов лазеров. Первыми были разработаны лазеры, использующие излучение, возникающее при переходе электрона с одного более высокого атомного уровня на другой более низкий уровень того же атома. Такие атомы могут находиться в качестве примеси в соответствующем твердом или жидком изоляторе либо в составе различных газовых смесей. [13]
Методы спектроскопии стимулированного излучения, базирующиеся на использовании принципов, заложенных в работе ОКГ перечисленных выше типов, помогают решать одну из основных задач квантовой электроники, а именно - расширение списка частот, на которых получена генерация и освоение новых спектральных диапазонов. Высокотемпературные методы спектроскопии стимулированного излучения [23, 32] позволяют анализировать поведение индуцированных переходов в широком интервале температур, что особенно важно для исследования электрон-фононного взаимодействия в активированных кристаллах. [14]
В спектроскопии стимулированного излучения [4, 5] эта проблема сейчас может быть решена двумя путями. Первый, наиболее используемый путь - внесение в резонатор ОКГ селективных потерь, подавляющих усиление на частотах линий основного перехода и создающих максимальную добротность на частоте исследуемой линии. Чаще всего для этих целей используются селективные зеркала и реже резонаторы с различными дисперсионными элементами. Второй путь связан с внесением в оптический резонатор селективного усиления, повышающего на частоте возбуждаемой линии величину эффективного ае до необходимого значения. [15]
Страницы: 1 2 3 4