Стимулированное излучение

Cтраница 4

Схема уровней для гелий-неонового лазера. [46]

В результате переходов между уровнями неона 4 и 3 возникает стимулированное излучение в видимой либо в близкой инфракрасной области спектра. Спонтанные переходы между уровнями 2 и 3 соответствуют желто-красному свечению неонового разряда. [47]

Оптические резонаторы с дисперсией могут также использоваться и для возбуждения стимулированного излучения на частотах отдельных однородно уширенных линий люминесценции активаторных ионов простых кристаллов и для перестройки частоты генерации в пределах ширины этих линий. В свя -: ш с том что ширина линий люминесценции сред с упорядоченным кристаллическим строением при 300 К составляет около 10 еж 1, условие (3.17) для них будет выполнить труднее. [48]

На основе данных сводной табл. 5.1 составлен индекс длин волн стимулированного излучения всех известных лазерных активированных диэлектрических кристаллов. Он представлен в табл. 7.1 и дает возможность быстро подобрать необходимую длину волны генерации, указывая при этом тип кристалла, его индуцированный переход и рабочую температуру. [49]

Для понимания физики процессов, протекающих в лазерном кристалле в условиях стимулированного излучения, важное значение имеет построение схемы энергетических уровней ( гатарковских) и идентификация наблюдаемых индуцированных переходов. Отставание в изучении спектроскопических свойств этих сред можно, по-видимому, объяснить тем, что исследователей останавливали затруднения, обычно встречающиеся при анализе широких, чаще всего бесструктурных, полос в спектрах поглощения и люминесценции. [50]

Трех - ( а и четырехуровневые ( 6 - е ] рабочие схемы ОКГ. [51]

Общей особенностью всех перечисленных рабочих схем ОКГ является участие в процессе стимулированного излучения одного метастабильного состояния активаторного иона и значительные потери на безызлучательных переходах, особенно в каналах накачки при неселективном оптическом возбуждении. [52]

ОКГ на основе активированных диэлектрических кристаллов с лазерным возбуждением. [53]

Такой принцип накачки дает возможность извлекать много дополнительной информации о свойствах стимулированного излучения кристаллов. [54]

Поэтому для промежутков времени, соизмеримых с длительностью переходных процессов при стимулированном излучении, населенности штарковских компонент в каждом конкретном мультиплете будут находиться в отношении, соответствующем тепловому равновесию. [55]

При токах выше порогового световой квант, проходящий через полупроводник, вызывает стимулированное излучение - одновременную рекомбинацию ряда носителей заряда. [56]

Поскольку процесс излучения происходит в присутствии внешнего поля, рассматриваемый член описывает стимулированное излучение. Другими словами, два члена в (6.32) описывают, соответственно, поглощение и излучение фотонов электронами полупроводника под действием внешнего электромагнитного поля. Отметим, что величины матричных элементов, описывающих оба процесса, равны. Член, описывающий стимулированное излучение и представленный в (6.32) как к.с. будет обсуждаться более подробно в гл. [57]

С энергетическими переходами 2 - / связана и частота колебаний со21 при стимулированном излучении. [58]

Страницы: 1 2 3 4