Cтраница 2
Мощность на выходе электронных и полупроводниковых стабилизаторов ограничивается предельно допустимой мощностью рассеяния на лампах и полупроводниковых приборах, входящих в схему стабилизатора. При использовании современных электронных ламп и полупроводниковых приборов стабилизаторы могут иметь выходную мощность до нескольких сотен ватт. Мощность на выходе газоразрядных стабилизаторов со стабилитронами ограничивается предельно допустимым током стабилитрона и обычно не превышает 2 - 3 вт. [16]
По надежности наилучшие показатели имеют полупроводниковые стабилизаторы. [17]
Для стабилизации низких напряжений применяются полупроводниковые стабилизаторы - кремневые диоды, включаемые в непропускном направлении параллельно нагрузке. [18]
![]() |
Обозначение электрических величин на схемах стабилизаторов. [19] |
Как правило, выходные напряжения полупроводниковых стабилизаторов не превышают 50 В. [20]
![]() |
Параметрический стабилизатор напряжения на стабилитроне ( а и последовательный компенсационный стабилизатор напряжения непрерывного действия ( б. [21] |
Стабилизация постоянного напряжения может выполняться полупроводниковыми стабилизаторами параллельного или последовательного действия. [22]
Стойка автоматического регулирования напряжения с полупроводниковыми стабилизаторами CAFH - П предназначена для стабилизации напряжения питания аппаратуры связи ( 21 2 В), напряжения питания цепей сигнализации ( 24 В) а также для коммутации и распределения питания в ЛАЦ. [23]
В настоящее время используются главным образом полупроводниковые стабилизаторы, отличающиеся большим коэффициентом полезного действия по сравнению с ламповыми. [24]
Источники питания измеряемых полевых транзисторов представляют собой полупроводниковые стабилизаторы регулируемого напряжения. Регулировка напряжений в нужных пределах производится грубо переключателем и плавно - потенциометром, выведенными на переднюю панель блока режимов. [25]
![]() |
Упрощенная схема электронного стабилизатора напряжения. [26] |
По аналогичному принципу выполняются и схемы полупроводниковых стабилизаторов, в которых вместо ламп применяются транзисторы, а роль стабиловольта выполняет диод-стабилизатор. [27]
![]() |
Искажения, вызванные паразитной емкостью и индуктивностью рассеяния. [28] |
Здесь постоянное напряжение после выпрямителя стабилизируется низковольтным полупроводниковым стабилизатором, после чего подается на вход преобразователя напряжения. [29]
Как показывает анализ [1], в полупроводниковых стабилизаторах с кремниевыми стабилитронами ( источники опорного напряжения) основная температурная нестабильность связана с температурным изменением опорного напряжения и напряжения базы ( или баз) транзисторов схемы сравнения. При наличии высокоомных делителей существенную нестабильность может внести температурное изменение тока базы ( баз) транзисторов схемы сравнения. Большую температурную нестабильность могут внести делители цепи обратной связи или делители опорного напряжения, если сопротивления разных плеч имеют разные температурные коэффициенты. [30]