Полупроводниковый стабилизатор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Когда ты по уши в дерьме, закрой рот и не вякай. Законы Мерфи (еще...)

Полупроводниковый стабилизатор

Cтраница 3


31 Схема стабилизатора с опорной батареей. [31]

Для стабилизации напряжения низковольтных источников тока удобно применять полупроводниковые стабилизаторы. Простейшая схема стабилизации с использованием опорного диода ( стабилитрона) приведена на рис. 11.15, а. Напряжение к стабилитрону прикладывается в запирающем направлении, поэтому он включается в схему полярностью, обратной по отношению к указанной на корпусе диода. При повышении запирающего напряжения неосновные носители в поле перехода диода приобретают такую энергию, что могут вызывать лавинообразную ионизацию. Поэтому при повышении напряжения сила тока через диод резко возрастает и напряжение на диоде, включенном по схеме, показанной на рис. 11.15, я, остается практически постоянным. Такая схема стабилизации работает аналогично схеме с газоразрядным стабилитроном и обеспечивает стабильность выходного напряжения при колебаниях входного напряжения и тока нагрузки.  [32]

Источник измерительного тока ( блок 3) представляет собой полупроводниковый стабилизатор тока с высоким ( не менее 2000) коэффициентом стабилизации. Он выполнен на трех транзисторах. Стабилизатор обеспечивает непрерывное протекание тока через ИВ, причем величина этого тока с помощью переменного резистора RS ( ППЗ-41; 330 ом) устанавливается равной 40 ма.  [33]

На рис. 6 - 4 а приведена схема полупроводникового стабилизатора на напряжение - 12 6 в при токе 0 35 а при величине пульсации на выходе не более 15 мв. Усилитель управляет регулирующим элементом путем изменения его базового тока и напряжения эмиттер - база. Управляющее напряжение на усилитель снимается с делителя J. Rs - Напряжение смещения UQ составляет 0 2 - 0 3 в. Стабилитрон Д3, включенный в цепь делителя, служит в качестве термо-компенсирующего элемента. В общем схема работает так же, как описанная ранее. Увеличение выходного напряжения стабилизатора вызывает увеличение отрицательного потенциала на базе усилительного триода, что в свою очередь вызывает увеличение тока базы, а следовательно, и увеличение коллекторного тока этого триода. С возрастанием тока коллектора увеличивается падение напряжения на резисторе нагрузки Ri и уменьшается потенциал коллектора усилителя относительно общей положительной шины.  [34]

Из [4] известно, что температурный уход выходного напряжения полупроводниковых стабилизаторов зависит в основном от температурных коэффициентов стабилитрона и перехода база - эмиттер усилительного транзистора.  [35]

Ограничение напряжения и тока цепей питания преобразователя осуществляется применением полупроводниковых стабилизаторов тока. По цепям сигнализации - барьером искрозащиты, состоящим из резистора и стабилитрона. Перечисленные элементы залиты компаундом.  [36]

37 Схема полупроводникового стабилизированного преобразователя. [37]

Тр образуют двухтактный генератор, питаемый в свою очередь через следящий полупроводниковый стабилизатор.  [38]

39 Датчик напряжения. [39]

Подобные датчики напряжения используются также в качестве измерительного элемента в полупроводниковых стабилизаторах среднего напряжения.  [40]

В качестве стабилизаторов для напряжений порядка 10 - 30 в применяются полупроводниковые стабилизаторы.  [41]

Блоки имеют дополнительные выходы напряжения переменного тока, предназначенные для подключения полупроводниковых стабилизаторов.  [42]

Как уже было упомянуто, защита от перегрузки очень важна в полупроводниковом стабилизаторе. Стабилизирующий усилитель не должен выходить из строя при каких-либо ожидаемых или не ожидаемых перегрузках или переходных явлениях. Он находится непосредственно в цепи короткого замыкания и может выйти из строя в течение миллисекунд. Часто для защиты используются плавкие предохранители, но всегда имеется несогласованность между предохранителем и транзистором; предохранитель должен расплавиться первым при большой перегрузке. По-видимому, плавкие предохранители не являются лучшей защитой, и возможно даже, что они во многих случаях не пригодны для этого.  [43]

44 Схема расположения глубинных датчиков на обсадной колонне скв. 501 Медвежьего месторождения. 1 - датчик затрубного давления ДД-1. 2 - кабель связи. 3 - наземная измерительная аппаратура. 4, 6, 7 - колонны соответственно диаметром 273, 219 и 324 мм. 5 - телоизоля-ционный слой ППУ-30. 8 - датчик осевых напряжений ДОН-1. 9 - колонна НКТ. 7 - много-летнемерзлые породы. / / - глина. / / / - песок. [44]

Наземное измерительное устройство включает в себя регистратор ( самописец Н39), полупроводниковый стабилизатор постоянного напряжения 12 В ( ПСН) с высокой стабилизацией и схему управления для подачи питания и последовательного опроса глубинных датчиков. Каналом связи служит семижильный бронированный кабель.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5