Стабилизация - плазма
Cтраница 1
Стабилизация плазмы возможна также средним минимумом В, или средней магн. [2]
 |
Объяснение неустойчивости пинча с учетом магнитного дав ления. [3] |
Механизм стабилизации плазмы вмороженным магнитным полем весьма прост. [4]
Вопрос о стабилизации плазмы допускает и иной, в некотором смысле противоположный, подход. Условия устойчивости становятся, очевидно, все более и более жесткими при увеличении давления плазмы. [5]
 |
Принципиальная схема высокочастотного плазмотрона. [6] |
Реже применяется способ стабилизации плазмы в ВЧ-плазмотронах осевым газовым потоком и магнитным сжатием разряда. [7]
Так как с точки зрения стабилизации плазмы представляют особый интерес неоднородные магнитные поля, то является желательным получить условия конвективной неустойчивости без ограничения симметрии системы. Однако точное рассмотрение этой задачи с помощью кинетического уравнения представляет значительные трудности, поэтому мы воспользуемся гидродинамическим приближением. [8]
В работе С.И. Брагинского и Б.Б. Кадомцева [3] для стабилизации плазмы было предложено использовать охраняющие проводники, которые должны как бы отгораживать плазму от слишком экспансивного магнитного поля. Среди всех возможных систем с охраняющими проводниками выделяются две простейшие - с прямыми стержнями и с кольцами, которые, естественно, следует проанализировать в первую очередь. В работе [3] подробно рассмотрен вопрос о поведении в таких системах полностью скинированной плазмы без вмороженного в нее поля. [9]
Схемы СВЧ плазмотронов с предполагаемыми картинами течений при прямо-точно-вихревой и возвратно-вихревой стабилизации плазмы показаны на рис. 7.30, а на рис. 7.31 показана зависимость мощности плазменного СВЧ излучения Wp, поглощаемого разрядом, и тепловой мощности Wt, выделяющейся в контуре охлаждения плазмотрона. Результаты опытов приведены в виде зависимости доли тепловых потерь WJWV от удельного вклада энергии в разряд J WIG, где G - расход плазмообразующего газа - азота. Результаты численного моделирования показаны на рис. 7.32 а - для традиционной прямоточно вихревой стабилизации и на рис. 7.32 5 - для случая с возвратно-вихревой стабилизацией. В первом случае рабочее тело - плазмообразующий газ - азот в виде закрученного потока подается в разрядную камеру, а во втором случае он подается в дополнительную вихревую камеру со скоростями 100 м / с ( С 1 г / с) и 225 м / с ( G 1 5 г / с), соответственно. По мнению автора работы [64] возвратный вихрь сжимает зону нагрева, предохраняя стенки камеры плазмотрона от перегрева. Основная часть газа проходит через разрядную зону, а размер зоны рециркуляции незначителен. В традиционной схеме ( см. рис. 7.32 а) входящий газ смешивается с циркулирующим потоком плазмы и основная часть газа проходит мимо разряда вдоль стенок кварцевой трубки. Судя по приведенным модельным расчетам, схема с возвратно-вихревой стабилизацией позволяет снизить максимально достижимую температуру нагрева корпусных элементов примерно в 2 5 раза. Наиболее нагретая часть область диафрагмы, непосредственно примыкающая к отверстию имеет температуру 1400 К. Таким образом, использование возвратно-вихревой стабилизации плазмы позволяет изготовить СВЧ плазмотрон неохлаждаемым из кварцевого стекла. [10]
 |
Схема установки с высокочастотным плазменным нагревом. 1 - кристалл. 2 - индуктор. 3 - плазма. [11] |
Начало активного использования плазменного нагрева относится к шестидесятым годам прошлого века, когда были созданы эффективные способы стабилизации плазмы. [12]
Весной 1958 г. в Научно-исследовательском институте электрофизической аппаратуры в Ленинграде была построена большая установка Альфа-аналог английской Зеты со стабилизацией плазмы безэлектродного разряда слабым тороидальным магнитным полем. [13]
К таким замкнутым системам относятся, прежде всего, установки Токам ак, в которых нагрев плазмы осуществляется за счет джоулева тепла продольного тока, а стабилизация плазмы достигается с помощью сильного продольного магнитного поля и металлического кожуха. После 1958 г. на этих установках были существенно улучшены вакуумные условия. [14]
Вт с точностью 10 %; напуск газа по четырем каналам в широких пределах; поддержку расхода газовой смеси с высокой точностью; она снабжена системой подачи части ВЧ мощности на рабочий столик и магнитной системой стабилизации плазмы. [15]
Страницы: 1 2 3